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    Open-source design of integrated circuits: An open-sourced 1.44-MS/s 703-μW 12-bit non-binary SAR-ADC using 448-aF capacitors in 130-nm CMOS
    Fath, Patrick ; Moser, Manuel ; et al.
    In: e+i Elektrotechnik und Informationstechnik, Jg. 141 (2024-03-01), Heft 1, S. 76-87
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    A D-Band Power Amplifier With 60-GHz Large-Signal Bandwidth and 7.6% Peak PAE in 28-nm CMOS
    Yan, Z. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-05-01), Heft 5, S. 540-543
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Ultralow Noise Figure and Broadband CMOS LNA With Three-Winding Transformer and Large Transistor
    Kim, J. ; Son, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 2734-2744
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Compact 24.5–32.6 GHz CMOS Frequency Doubler Based on Coupled Inductor
    Ding, Y. ; Shen, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 2609-2613
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Compact 140-GHz Power Amplifier With 15.4-dBm Psat and 14.25% Peaking PAE in 28-nm Bulk CMOS Process
    Zhang, L. ; Ma, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 3016-3030
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Characterization of a 28 nm CMOS Technology for Analog Applications in High Energy Physics
    Traversi, G. ; Gaioni, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 932-940
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Leakage Performance of 4H-SiC CMOS Logic Circuits After Gamma Irradiation
    Zhang, L. ; Gu, Y. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 45 (2024-04-01), Heft 4, S. 542-545
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Memristor Emulation in 180-nm CMOS Process for Spiking Signal Generation and Chaos Application
    Kumar, P. ; Ranjan, R.K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1757-1770
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A 200-GHz Power Amplifier With 18.7-dBm Psat in 45-nm CMOS SOI: A Model-Based Large-Signal Approach on Cascaded Series-Connected Power Amplification
    Hassanzadehyamchi, S. ; Alizadeh, A. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-06-01), Heft 6, S. 1631-1642
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Compact 130-GHz CMOS OOK-Doubler With Embedded 10-Gb/s Modulator and Integrated Glass Antenna for Scalable Array Systems and Efficient Short-Range Communication
    Zaib Aslam, S. ; Yan, H. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-06-01), Heft 6, S. 781-784
    Online academicJournal
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    Multi-Channel PWM Heater Control Chip in 0.18 μm High-Voltage CMOS for a Quantum Simulator
    Ribisch, C. ; Hofbauer, M. ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 16 (2024-06-01), Heft 3, S. 1-8
    Online academicJournal
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    A 22-to-37.8-GHz Low-Gain-Phase-Error Variable-Gain Amplifier With Impedance-Compensation Technique in 65-nm CMOS Process
    Yu, Y. ; Geng, M. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-06-01), Heft 6, S. 757-760
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 60-GHz Power-Efficient Four-Element CMOS Phased-Array Transmitter With 31-dBm Peak EIRP for Short-Range Gb/s Wireless Transmission
    Jung, K.P. ; Jang, T.H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-06-01), Heft 6, S. 3452-3467
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A Compact 3–20-GHz 106-ps Passive True-Time Delay Circuit in 65-nm CMOS
    Meng, X. ; Chen, C. ; et al.
    In: IEEE Microwave and Wireless Technology Letters, Jg. 34 (2024-05-01), Heft 5, S. 493-496
    Online academicJournal
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    Design of a Noncoherent 100-Gb/s 3-m Dual-Band PAM-4 Dielectric Waveguide Link in 28-nm CMOS
    Dens, K. ; Vaes, J. ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 59 (2024-05-01), Heft 5, S. 1398-1408
    Online academicJournal
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    A 0.1–20.1-GHz Wideband Noise-Canceling gm-Boosted CMOS LNA With Gain-Reuse
    Karami, M.A. ; Lee, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-05-01), Heft 5, S. 2990-3000
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    Ultracompact Inductorless Noise-Canceling LNAs in 40-nm CMOS Achieving 2.2-K Noise Temperature for Qubit Readout
    Chaubey, M.K. ; Liu, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 72 (2024-04-01), Heft 4, S. 2168-2178
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    Ka-Band CMOS Power Amplifier Using Stacked Structure With Cascode-Like Operation
    Kim, T. ; Jeong, H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1949-1953
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    Ka-Band Three-Stacked CMOS Power Amplifier With LC Shunt-Feedback to Enhance Gain and Stability
    Kim, T. ; Park, C.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 1969-1973
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    A Full-Oxide CMOS Operational Amplifier Based on n-Type IGZO and p-Type SnO Thin-Film Transistors
    Zhuang, M. ; Wang, M. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 3691-3696
    Online academicJournal
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