Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
24 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

Geographischer Bezug

24 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Défis et méthodologie du développement des technologies CMOS avancées : La technologie microélectronique / Challenges and methodology for developing advanced CMOS technologies
    BOEUF, Frédéric ; ARNAUD, Franck
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2007, Heft 8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Les États-Unis préparent l'ère post-CMOS / United-States are preparing the post-CMOS era
    OSWALD, Marilyne ; OCHOA, Daniel ; et al.
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2008, Heft 145, S. 11-14
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    A 1-V 9.7-mW CMOS Frequency Synthesizer for IEEE 802.11a Transceivers
    LEUNG, Lincoln Lai Kan ; LUONG, Howard C
    In: IEEE transactions on microwave theory and techniques, Jg. 56 (2008), Heft 1, S. 39-48
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Circuits intégrés CMOS sur silicium / Integrated CMOS circuits on silicon
    SKOTNICKI, Thomas
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2000), Heft E2432, S. E2432.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Circuits intégrés CMOS pour 40 volts à applications spécifiques / 40 volts CMOS integrated circuits for specific applications
    WIKLUND, P.-J ; JOHANSSON, C ; et al.
    In: Revue ABB, 1995, Heft 4, S. 14-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développemnt de technologies CMOS et biCMOS / Le test paramétrique: un outil essentiel pour le développement de technologie CMOS et biCMOS
    TERNISIEN D'OUVILLE, T
    In: Echo des recherches (Ed. française), 1994, Heft 156, S. 27-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    La technologie CMOS submicronique indispensable à l'intégration d'un système sur une puce
    LAES, E
    In: Maîtriser la technologie des composants, 1996, Heft 2, S. 130-137
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Circuit universel d'interface de ligne d'abonné à tension élevée associant les technologies CMOS, DMOS et bipolaire / Interface circuit of high voltage suscriber line in CMOS, DMOS and bipolar technologies
    MOONS, E ; OP DE BEECK, E ; et al.
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 65 (1992), Heft 2, S. 112-118
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Mise au point d'une bibliothèque de cellules CMOS à 3 microns / Development of a 3 μm CMOS cell library
    LINCOLN, C. P
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 384-388
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Evaluation dynamique et optimisation des structures CMOS VLSI / Dynamic evaluation and optimization of VLSI CMOS structures
    AUVERGNE, D ; AZEMARD, N ; et al.
    In: TSI. Technique et science informatiques, Jg. 8 (1989), Heft 6, S. 593-607
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Mesure de coefficient de qualité d'un micro résonateur dans le domaine temporel: Étude de la réalisation en circuit intégré.
    Ren, Xiaojiao ; Zhang, Ming ; et al.
    In: Instrumentation, Mesures, Métrologies, Jg. 15 (2016-07-01), Heft 3-4, S. 139-152
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Technologie silicium sur isolant (SOI) / Silicon on insulator technology (SOI)
    CRISTOLOVEANU, Sorin ; BALESTRA, Francis
    In: Techniques de l'ingénieur. Electronique, Jg. 2 (2002), Heft E2380, S. E2380.1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A new model for codiffusion in polycrystalline silicon specified to BiCMOS technology. (French)
    Gontrand, C. ; Haddab, Y. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 10 (1995-10-01), S. 1393-1403
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Utilisation des filières technologiques silicium : Les composants spécifiques pour les fonctions télécoms : Nouveaux composants pour les télécommunications / New components for telecommunications / Trends in silicon technologies
    AVELINE, F ; ROLLAND, R
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 1996, Heft 5, S. 17-20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impact de la technologie des VLSI à la demande / Impact of custom VLSI technology
    PRIVETT, R. F ; VAN ISEGHEM, P
    In: Revue des Télécommunications, Jg. 58 (1984), Heft 3-4, S. 364-371
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Les « systèmes sur puce » au Japon / Systems on a chip in Japan
    METOU, Alfred
    In: Technologies internationales (Strasbourg), 2006, Heft 128, S. 33-36
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Comportement des composants logiques soumis à l'accumulation de perturbations induites par diaphonie interne et par des champs em extérieurs : La CEM dans les circuits intégrés / Behaviour of logic components under the influence of internal crosstalk and external electromagnetic fields : EMC in integrated circuits
    BENBASSOU, A ; RIFI, M ; et al.
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2000, Heft 7, S. 55-58
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Implantation du détecteur de contours Canny-Deriche optimisé sous forme d'un circuit spécifique / Asic implementation of the optimized Canny-Deriche edge detector
    TORRES, L ; BOURENNANE, E.-B ; et al.
    In: TS. Traitement du signal, Jg. 14 (1997), Heft 1, S. 15-28
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Caractérisation et propriétés physiques des défauts induits dans les transistors MOS submicroniques par injections de porteurs chauds
    Characterization and physical properties of induced defects in submicrometer MOS transistors by hot-carrier injections
    In: Journal de physique 3, Applied physics, materials science, fluids, plasma and instrumentation, Jg. 2 (1992), Heft 5, S. 777-804
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Du transistor aux nanotubes : Nanosciences et Radioélectricité / Feature : Nanotechnology & radiofrequency from transistor to nanotube
    BOUDENOT, Jean-Claude
    In: REE. Revue de l'électricité et de l'électronique, 2007, Heft 8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -