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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Characterization of a 28 nm CMOS Technology for Analog Applications in High Energy Physics
    Traversi, G. ; Gaioni, L. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 932-940
    Online academicJournal
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    Research on Single Event Transients in Linear Voltage Regulators in a 28 nm Bulk CMOS Technology
    Shen, F. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Nuclear Science, Jg. 71 (2024-04-01), Heft 4, S. 793-801
    Online academicJournal
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Electrical Stress on the CMOS Inverters Made by Junctionless Gate-All-Around Transistors
    Chang, W. ; Yang, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 71 (2024-05-01), Heft 5, S. 2863-2868
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    CMOS-Compatible Dual-Column Linear Image Sensor With a Gain of 105 and Dynamic Range of 120 dB
    Jin, X. ; Gao, C. ; et al.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 24 (2024-03-15), Heft 6, S. 7681-7689
    Online academicJournal
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    A 0.011%/V LS and −76-dB PSRR Self-Biased CMOS Voltage Reference With Quasi Self-Cascode Current Mirror
    Yu, K. ; Chen, J. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 71 (2024-03-01), Heft 3, S. 1052-1056
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    A 0.4-V 8400-μm2 Voltage Reference in 65-nm CMOS Exploiting Well-Proximity Effect
    Che, C. ; Lei, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-10-01), Heft 10, S. 3822-3826
    Online academicJournal
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    A Fully Integrated Stimulator With High Stimulation Voltage Compliance Using Dynamic Bulk Biasing Technique in a Bulk CMOS Technology
    Zhou, Y. ; Wang, K. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 71 (2024-06-01), Heft 6, S. 2525-2537
    Online academicJournal
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A 20 nW +0.8°C/-0.8°C Inaccuracy (3σ) Leakage-Based CMOS Temperature Sensor With Supply Sensitivity of 0.9°C/V
    Li, J. ; Yao, B. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 3142-3153
    Online academicJournal
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    A Sub-GHz CMOS SPDT Antenna Switch Employing Linearity-Enhanced Biasing Strategy for Second-Order Harmonic Reduction
    Lee, G. ; Oh, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 70 (2023-08-01), Heft 8, S. 2774-2778
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Low-Frequency Noise of 4H-SiC CMOS Technology for Analog ICs
    Masunaga, M.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 70 (2023-06-01), Heft 6, S. 3228-3233
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A Broadband D-Band Dual-Peak Gmax-Core Amplifier With a T-Shaped Embedding Network in CMOS
    Kim, J. ; Choi, C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Jg. 71 (2023-05-01), Heft 5, S. 1866-1876
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Novel Design of a Ternary-CMOS With Vertical-Channel Double-Gate Field-Effect Transistors
    Kim, J. ; Kim, S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 69 (2022-08-01), Heft 8, S. 4081-4087
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fast CMOS Analog Multiplier and Divider With Continuous-Time Inverter-Based Flash Digitizer
    Oshima, T. ; Nakamura, Y. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 69 (2022-03-01), Heft 3, S. 934-938
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Tunable CMOS Pseudo-Resistors for Resistances of Hundreds of GΩ
    Rueda-Diaz, J.M. ; Bolzan, E. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 69 (2022-02-01), Heft 2, S. 657-667
    Online academicJournal
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    academicJournal
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    Temperature-Dependent Narrow Width Effects of 28-nm CMOS Transistors for Cold Electronics
    Tsai, T. ; Lin, H. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 289-296
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CMOS ISFET Arrays for Integrated Electrochemical Sensing and Imaging Applications: A Tutorial
    Douthwaite, M. ; Moser, N. ; et al.
    In: IEEE Sensors Journal, Jg. 21 (2021-10-15), Heft 20, S. 22155-22169
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    An 820-GHz Down-Converter With Fourth Subharmonic Mixer in 40-nm CMOS Technology
    Zhou, J. ; Luo, X.
    In: IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jg. 31 (2021-10-01), Heft 10, S. 1146-1149
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Performance Enhancement of Asymmetrical Double Gate Junctionless CMOS Inverter With 3-nm Critical Feature Size Using Charge Sheet
    Bavir, M. ; Abbasi, A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 10 (2022), S. 334-340
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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