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    A 0.8 V 0.23 nW 1.5 ns full-swing pass-transistor XOR gate in 130 nm CMOS.
    Ahmad, Nabihah ; Hasan, Rezaul
    In: Active and Passive Electronic Components, 2013
    Online academicJournal
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    Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen.
    Stegemann, S. ; Xiong, J. ; et al.
    In: Advances in Radio Science, Jg. 7 (2009-05-19), Heft 14, S. 185
    Online academicJournal
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    Dual-Mode Single-Input Three-Output Multifunction Filter and Quadrature Oscillator Consisting of Two Voltage Differencing Transconductance Amplifiers and Two Grounded Capacitors.
    Tangsrirat, W. ; Channumsin, O. ; et al.
    In: Journal of Communications Technology and Electronics, Jg. 68 (2023-04-01), Heft 4, S. 460-473
    Online academicJournal
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    Pushing energy savings in adiabatic logic by carbon-nanotube field effect transistors.
    Teichmann, P. ; Friederich, C. ; et al.
    In: Advances in Radio Science, Jg. 9 (2011-08-01), Heft 26, S. 215
    Online academicJournal
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    A dual-port eight-transistor static memory cell with improved noise immunity.
    Romanov, R.I. ; Korotkov, A.S.
    In: Journal of Communications Technology and Electronics, Jg. 59 (2014-11-01), Heft 11, S. 1315-1320
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
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