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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Electron tunneling in MIS capacitors with the MBE-grown fluoride layers on Si(111) and Ge(111): Role of transverse momentum conservation : Biennial international insulating films on semiconductor conference
    Illarionov, Y.Y. ; Vexler, M.I. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 7, S. 1291-1294
    Konferenz
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    Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper) : Insulating films on semiconductors; INFOS 2009
    Schroeder, T. ; Giussani, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 86 (2009), Heft 7/9, S. 1615-1620
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characteristics of GdGaO grown by MBE : Advanced gate stack technology: ISAGST
    Holland, M. ; Longo, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 86 (2009), Heft NO 3, S. 244-248
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    In-situ MBE Si as passivating interlayer on GaAs for HfO2 MOSCAP's: effect of GaAs surface reconstruction : Biennial conference on insulating films on semiconductors; Infos 2007
    Webb, D. J. ; Fompeyrine, J. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 9-10, S. 2142-2145
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    LaAlO3 films prepared by MBE on LaAlO3(001) and Si(001) substrates : Insulating films on semiconductors; Infos 2005
    Gaillard, S. ; Rozier, Y. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 80 (2005), S. 146-149
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Two dimensional phonon-drag thermopower in Si~0~.~8~7Ge~0~.~1~3/Si(001) heterostructure grown by MBE : International conference on low dimensional structures & devices; LDSD '99
    Agan, S. ; Mironov, O. A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. S 51-52 (2000), S. 527-534
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Novel quantum wire and quantum dot structures on patterned high-index surfaces by hydrogen-assisted MBE : New phenomena in mesoscopic structures
    Ploog, K. H. ; Notzel, R.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 47 (1999), Heft NO 1-4, S. 209-214
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Realization of InP-based InGaAs single electron transistors on wires and dots grown by selective MBE : New phenomena in mesoscopic structures
    Muranaka, T. ; Okada, H. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 47 (1999), Heft NO 1-4, S. 201-204
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Pre-structuring of silicon substrates to investigate MBE-growth of SiGe lavers : Micro- and nanofabrication
    David, C. ; Hartmann, R. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 46, Heft 1/4, S. 275-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Atom diffusion during MBE growth on patterned substrate : Low dimensional structures and devices: LDSD'97
    Jian, J. ; Zhou, J. X. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 43/44, S. 409-414
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Numerical gate capacitance-voltage characteristics and electronic structure of MBE silicon delta-FETs : Low dimensional structures and devices: LDSD'97
    Manzoli, J. E. ; Hipolito, O.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 43/44, S. 661-668
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Optical absorption and band gap shift of n-doped Al~xGa~1~-~xAs alloys grown by MBE : Low dimensional structures and devices: LDSD'97
    Ferreira da Silva, A. ; Persson, C. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 43/44, S. 423-430
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Spatial confinement of self-organized MBE-grown In, Ga~1~-~x As quantum dots : Low dimensional structures and devices: LDSD'97
    Quivy, A. A. ; Leite, J. R.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 43/44, S. 19-24
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fabrication of buried quantum structures using FIB-MBE total vacuum process : Micro- and nanofabrication
    Wakaya, F. ; Yanagisawa, J. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 35, Heft 1/4, S. 451-454
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    MBE growth and characterization of CdF~2 layers on Si(111) : Infos '95
    Novikov, S. V. ; Faleev, N. N. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 28, Heft 1/4, S. 213-216
    Konferenz
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    Nanofabrication of Si point contacts using gas-source MBE: toward single-crystalline devices : Micro and nano-engineering 94
    Maes, J. W. H. ; Heuvelman, W. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 27, Heft 1/4, S. 99-104
    Konferenz
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