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689 Treffer

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    Accurate electrical activation characterization of CMOS ultra-shallow profiles : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Clarysse, T. ; Dortu, F. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 166-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced front-end processes for the 45nm CMOS technology node : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Collart, E. J. ; Felch, S. B. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 118-129
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Ni based silicides for 45nm CMOS and beyond : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Lauwers, A. ; Kittl, J. A. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 29-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    New physics mechanisms enabled by advanced SOI CMOS engineering : Material science issues in advanced CMOS source-drain engineering; EMRS 2004, Symposium B: material science issues in advanced CMOS source-drain engineering
    Cristoloveanu, S.
    In: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE-, Jg. 114-115 (2004), S. 9-14
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nanoscale strain characterisation for ultimate CMOS and beyond : Beyond silicon technology: Materials and devices for post-si CMOS; E-MRS 2008 spring conference symposium J
    Olsen, S.H. ; Dobrosz, P. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Jg. 11 (2008), Heft 5/6, S. 271-278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial anatase HfO~2 on high-mobility substrate for ultra-scaled CMOS devices : Beyond silicon technology: Materials and devices for post-si CMOS; E-MRS 2008 spring conference symposium J
    Debernardi, A. ; Wiemer, C. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Jg. 11 (2008), Heft 5/6, S. 241-244
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Ge condensation technique: A solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies? : Beyond silicon technology: Materials and devices for post-si CMOS; E-MRS 2008 spring conference symposium J
    Vincent, B. ; Damlencourt, J.F. ; et al.
    In: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Jg. 11 (2008), Heft 5/6, S. 205-213
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    3-D stacked CMOS inverters using Pt/HfO2 on Si substrate for vertical integrated CMOS applications : International conference on micro and nano engineering
    Oh, S. Y. ; Ahn, C. G. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 85 (2008), Heft 5-6, S. 1206-1209
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors : ISDRS 2005: international semiconductor device research symposium
    Jeon, W. ; Melngailis, J.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 951-958
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Use of a standard CMOS imager as position detector for charged particles : Innovative particle and radiation detectors; IPRD10
    Servoli, L. ; Biagetti, D. ; et al.
    In: NUCLEAR PHYSICS B PROCEEDINGS SUPPLEMENTS, Jg. 215 (2011), Heft 1, S. 228-231
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low power and high performance dynamic CMOS XOR/XNOR gate design : Micro- and nano-engineering
    Wang, J. ; Gong, N. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 8, S. 2781-2784
    Konferenz
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Cross coupled beams CMOS-MEMS resonator for VHF range with enhanced electrostatic detection : Micro- and nano-engineering
    Marigo, E. ; Munoz-Gamarra, J.L. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 8, S. 2325-2329
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Capacitive RF switches manufactured by the CMOS-MEMS technique : Micro- and nano-engineering
    Yang, M. Z. ; Dai, C. L. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 8, S. 2242-2246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Interfaces and performance: What future for nanoscale Ge and SiGe based CMOS? : Biennial international insulating films on semiconductor conference
    Le Royer, C.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 7, S. 1541-1548
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Dynamic X-ray direct conversion detector using a CdTe polycrystalline layer coupled to a CMOS readout chip : Radiation imaging detectors; 2009
    Arques, M. ; Renet, S. x. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A, Jg. 633 (2011), Heft SUPP/1, S. S55- (4S.)
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Particle pixel detectors in high-voltage CMOS technology—New achievements : Semiconductor pixel detectors for particles and imaging; PIXEL 2010
    Peric, I. ; Kreidl, C. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A, Jg. 650 (2011), Heft 1, S. 158-162
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Advanced monolithic active pixel sensors for tracking, vertexing and calorimetry with full CMOS capability : Semiconductor pixel detectors for particles and imaging; PIXEL 2010
    SPiDeR Collaboration, w. s. ; Stanitzki, M.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A, Jg. 650 (2011), Heft 1, S. 178-183
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High resistivity CMOS pixel sensors and their application to the STAR PXL detector : Semiconductor pixel detectors for particles and imaging; PIXEL 2010
    Dorokhov, A. ; Bertolone, G. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A, Jg. 650 (2011), Heft 1, S. 174-177
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Front-end electronics in a 65nm CMOS process for high density readout of pixel sensors : Semiconductor pixel detectors for particles and imaging; PIXEL 2010
    Gaioni, L. ; Manghisoni, M. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A, Jg. 650 (2011), Heft 1, S. 163-168
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Readout electronics for low dark count pixel detectors based on Geiger mode avalanche photodiodes fabricated in conventional CMOS technologies for future linear colliders : Semiconductor pixel detectors for particles and imaging; PIXEL 2010
    Vilella, E. ; Arbat, A. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A, Jg. 650 (2011), Heft 1, S. 120-124
    Konferenz
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