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    Optimization of LPE-grown high efficiency GaAs solar cells
    Bett, A. ; Cardona, S. ; et al.
    In: The Conference Record of the Twenty-Second IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1991, 1991, S. 137-141
    Konferenz
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    Raman scattering study of the clustering phenomena in InGaAsP grown by LPE on (100) and (111) GaAs
    Sugiura, T. ; Hase, N. ; et al.
    In: Seventh International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1995, S. 115-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Purity p-type InP Grown by LPE with Rare-Earth Admixtures
    Grym, J. ; Prochazkova, O. ; et al.
    In: 2006 International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, 2006-10-01, S. 157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Transient photoluminescence decay investigations of LPE GaAs heteroface solar cells
    Wettling, W. ; Ehrhardt, A. ; et al.
    In: IEEE Conference on Photovoltaic Specialists, 1990, S. 357-362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Buch
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    academicJournal
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    Konferenz
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    III-V compound process development using photoluminescence lifetime
    Ahrenkiel, R.K. ; Dunlavy, D.J. ; et al.
    In: Conference Record of the Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists, 1988, S. 611-615
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Copmparison of influence of rare earth elements and oxides on properties of InP for radiation detection
    Prochazkova, O. ; Zdansky, K. ; et al.
    In: International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2005, 2005, S. 491-494
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of heterostructures based on InAsPSb and GaInAsPSb isoperiodical with GaSb
    Vasil'ev, V.I. ; Kuchinskii, V.I. ; et al.
    In: 2000 IEEE International Symposium on Compound Semiconductors. Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International Symposium on Compound Semiconductors (Cat. No.00TH8498), 2000, S. 233-238
    Konferenz
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Doping properties of Pr/sub 2/O/sub 3/ associate InGaAs liquid phase epitaxial growths
    Liu, C.C. ; Chang, L.B. ; et al.
    In: 1996 International Semiconductor Conference. 19th Edition. CAS'96 Proceedings, Jg. 2 (1996), S. 413-416
    Konferenz
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    Gas source molecular beam epitaxy of GaInAs and GaInAsP strained layer quantum well lasers emitting at 1.5 mu m
    Starck, C. ; Emery, J. Y. ; et al.
    In: LEOS 1992 Summer Topical Meeting Digest on Broadband Analog and Digital Optoelectronics, Optical Multiple Access Networks, Integrated Optoelectronics, 1992, S. 457-460
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Modulated Photoluminescence Spectra Study on Narrow-gap HgCdTe Liquid Phase Epitaxial Films
    Yue, F. Y. ; Shao, J. ; et al.
    In: 2006 Joint 31st International Conference on Infrared Millimeter Waves and 14th International Conference on Teraherz Electronics, 2006-09-01, S. 452
    Konferenz
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    Liquid phase epitaxial InGaAs on InP with rare-earth elements
    Gao, Wei ; Berger, P.R. ; et al.
    In: LEOS '95. IEEE Lasers and Electro-Optics Society 1995 Annual Meeting. 8th Annual Meeting. Conference Proceedings, Jg. 1 (1995), S. 87-88
    Konferenz
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    Photoluminescence polarization anisotropy for studying long-range structural ordering within semiconductor multi-atomic alloys and organic crystals.
    Prutskij, T. ; Percino, J. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1566 (2013-12-04), Heft 1, S. 37-38
    Konferenz
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    InGaAsSb p-n Heterojunctions Studied by Photoluminescence and Photoacoustic Spectroscopies for Photovoltaic Applications.
    Gomez-Herrera, M. L. ; Mendoza-Alvarez, J. G. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 893 (2007-04-10), Heft 1, S. 177-178
    Konferenz
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    Contrôle de la morphologie des poudres par l'ajout de fondants : Application à un luminophore
    Duault, Frédéric ; Junker, Michel ; et al.
    In: Actes du 4e colloque Science et technologie des poudres. "3 jours pour faire parler la poudre" ; 4e colloque Science et technologie des poudres. "3 jours pour faire parler la poudre" ; https://hal.science/hal-00838312 ; 4e colloque Science et technologie des poudres. "3 jours pour faire parler la poudre", May 2004, Compiègne, France. T1-1 pp.1-7, 2004
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Volltext
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    academicJournal
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