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    CMOS-MEMS integrated MOSFET embedded bridge structure based pressure sensor.
    Rathore, Pradeep Kumar ; Panwar, Brishbhan Singh
    In: 2013 Annual IEEE India Conference (INDICON), 2013, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Die-to-die and within-die fabrication variation of 65nm CMOS technology PMOS transistors.
    Khan, Aftab Alam ; Ohnari, Yoshihiro ; et al.
    In: 2013 IEEE International Conference on Electronics, Computing & Communication Technologies, 2013, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    125 GHz CMOS oscillator controlled by p-type bulk voltage.
    Ono, Naoko ; Motoyoshi, Mizuki ; et al.
    In: 2012 IEEE Radio & Wireless Symposium, 2012, S. 215-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CNTFET: The emerging post-CMOS device.
    Sinha, Sanjeet Kumar ; Kumar, Kanhaiya ; et al.
    In: 2013 International Conference on Signal Processing & Communication (ICSC), 2013, S. 372-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Low-Frequency Noise in a 0.18 μm Mixed-Mode CMOS Technology at Low Temperature.
    Martin, P. ; Cavelier, M. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 1129 (2009-04-23), Heft 1, S. 317-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ASYMMETRIC TUNNELING SOURCE MOSFETS: A NOVEL DEVICE SOLUTION FOR SUB-100NM CMOS TECHNOLOGY.
    Girish, N. V. ; Jhaveri, Ritesh ; et al.
    In: Frontiers in Electronics (With CD-ROM) - Proceedings of the Wofe-04, 2006, S. 95-102
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Low-Frequency Noise Characterization of 90 nm Multiple Gate Oxide CMOS Transistors.
    Lukyanchikova, N. ; Garbar, N. ; et al.
    In: AIP Conference Proceedings, Jg. 780 (2005-08-25), Heft 1, S. 331-334
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Transport measurement across single and coupled dopants implanted in a CMOS channel.
    Dupont-Ferrier, E. ; Roche, B. ; et al.
    In: 2012 International Semiconductor Conference Dresden-Grenoble (ISCDG), 2012, S. 57-59
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    A group IV solution for 7 nm FinFET CMOS: Stress engineering using Si, Ge and Sn.
    Gupta, Suyog ; Moroz, Victor ; et al.
    In: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting, 2013, S. 26.3.1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Self-aligned III-V MOSFETs: Towards a CMOS compatible and manufacturable technology solution.
    Sun, Y. ; Majumdar, A. ; et al.
    In: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting, 2013, S. 2.7.1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    InGaAs MOSFETs for CMOS: Recent advances in process technology.
    del Alamo, J. A. ; Antoniadis, D. ; et al.
    In: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting, 2013, S. 2.1.1
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Performance evaluation of CNFET based operational amplifier at technology node beyond 45-nm.
    Kafeel, Mohd. Ajmal ; Hasan, Mohd. ; et al.
    In: 2013 Annual IEEE India Conference (INDICON), 2013, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 0.7-V, 2.86-µW low-noise logarithmic amplifier for neural recording system.
    Sundarasaradula, Yuwadee ; Thanachayanont, Apinunt
    In: 2013 IEEE International Conference of IEEE Region 10 (TENCON 2013), 2013, S. 1-4
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Design of various logic gates in neural networks.
    Yellamraju, Suryateja ; Kumari, Swati ; et al.
    In: 2013 Annual IEEE India Conference (INDICON), 2013, S. 1-5
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design tradeoffs for voltage controlled crystal oscillators with built-in calibration mechanisms.
    Cardoso, Jose Pedro ; da Silva, Jose Machado
    In: 2013 8th IEEE Design & Test Symposium, 2013, S. 1-6
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design of DG-CNFET for reduction of short channel effect over DG MOSFET at 20nm.
    Chopade, S.S. ; Mane, Sashank ; et al.
    In: 2013 IEEE International Conference of IEEE Region 10 (TENCON 2013), 2013, S. 1-5
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Direct integration of field effect transistors as electro mechanical transducer for stress.
    Haas, S. ; Reuter, D. ; et al.
    In: 2013 Seventh International Conference on Sensing Technology (ICST), 2013, S. 379-382
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Investigating the performance of CNFET using 10T SET D-Flip flop.
    Raguvaran, E ; Vishnu, K S Nithyananda ; et al.
    In: 2012 International Conference on Computer Communication & Informatics, 2012, S. 1-5
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    AC performance of optically controlled MOSFET.
    Jain, Prerana ; Mishra, B. K. ; et al.
    In: 2012 IEEE Students' Conference on Electrical, Electronics & Computer Science, 2012, S. 1-4
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    An investigation in the impact of structural parameters on the electrical characteristics of Nanoscale Heterostructure P-MOSFETs.
    Khoshkbijari, Fatemeh Kohani ; Fouladi, Reza ; et al.
    In: 2012 10th IEEE International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE), 2012, S. 288-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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