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    Design and Characterization of 64 MegaPixel Fiber Optic Coupled CMOS Detector for Transmission Electron Microscopy
    Tietz, H.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 804CD
    Online serialPeriodical
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    Physical and Electrical Characterization of the Interface Between Atomic-Layer-Deposited Al~2O~3 on GaAs Substrates for CMOS Applications
    Garcia-Gutierrez, D.I. ; Kaushik, V. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 446CD
    Online serialPeriodical
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  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Local Strain Measurement by Geometrical Phase Analysis in the Transmission Electron Microscope Applied to Strain-Engineered CMOS Devices
    Chung, J. ; Lian, G. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 388CD
    Online serialPeriodical
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Challenging Analysis for the Gate Stack and Strained Channel of the Advanced CMOS
    Lian, G. ; Vartuli, C. ; et al.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 384CD
    Online serialPeriodical
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Quantitative Strain Measurement in Sub-45 nm CMOS Transistors by Convergent Beam Electron Diffraction (CBED) at Low Temperature and Nano Beam Diffraction (NBD)
    Clement, L. ; Delille, D.
    In: MICROSCOPY AND MICROANALYSIS -NEW YORK-, Jg. 14 (2008), Heft SUPP/2, S. 386CD
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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