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  1. Valentian, A. ; Rummens, F. ; et al.
    In: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03356354 ; 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. pp.14.3.1-14.3.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993431⟩, 2019
    Konferenz
  2. Valentian, A. ; Rummens, F. ; et al.
    In: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03356354 ; 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. pp.14.3.1-14.3.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993431⟩, 2019
    Konferenz
  3. Valentian, A. ; Rummens, F. ; et al.
    In: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03356354 ; 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. pp.14.3.1-14.3.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993431⟩, 2019
    Konferenz
  4. Valentian, A. ; Rummens, F. ; et al.
    In: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03356354 ; 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. pp.14.3.1-14.3.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993431⟩, 2019
    Konferenz
  5. Valentian, A. ; Rummens, F. ; et al.
    In: 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) ; https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03356354 ; 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. pp.14.3.1-14.3.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993431⟩, 2019
    Konferenz
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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