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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    academicJournal
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 2022
    academicJournal
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    Study of threshold voltage extraction from room temperature down to 4.2 K on 28 nm FD-SOI CMOS technology
    Berlingard, Quentin ; Lugo-Alvarez, Jose ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-03974969 ; Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108325. ⟨10.1016/j.sse.2022.108325⟩, 2022
    academicJournal
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    Improving the ability of Bulk Built-In Current Sensors to detect Single Event Effects by using triple-well CMOS
    Dutertre, Jean-Max ; Possamai Bastos, Rodrigo ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 2014
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Improving the ability of Bulk Built-In Current Sensors to detect Single Event Effects by using triple-well CMOS
    Dutertre, Jean-Max ; Possamai Bastos, Rodrigo ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 2014
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Improving the ability of Bulk Built-In Current Sensors to detect Single Event Effects by using triple-well CMOS
    Dutertre, Jean-Max ; Possamai Bastos, Rodrigo ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 2014
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Improving the ability of Bulk Built-In Current Sensors to detect Single Event Effects by using triple-well CMOS
    Dutertre, Jean-Max ; Possamai Bastos, Rodrigo ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 2014
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Improving the ability of Bulk Built-In Current Sensors to detect Single Event Effects by using triple-well CMOS
    Dutertre, Jean-Max ; Possamai Bastos, Rodrigo ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714 ; Microelectronics Reliability ; https://hal-emse.ccsd.cnrs.fr/emse-01094805 ; Microelectronics Reliability, Elsevier, 2014, 54 (9-10), pp.2289-2294. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.151⟩, 2014
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Epitaxy of Si-Ge-Sn-based heterostructures for CMOS-integratable light emitters
    von den Driesch, Nils ; Stange, Daniela ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://cea.hal.science/cea-02186473 ; Solid-State Electronics, 2019, 155, pp.139-143. ⟨10.1016/j.sse.2019.03.013⟩, 2019
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxy of Si-Ge-Sn-based heterostructures for CMOS-integratable light emitters
    von den Driesch, Nils ; Stange, Daniela ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-02186473 ; Solid-State Electronics, Elsevier, 2019, 155, pp.139-143. ⟨10.1016/j.sse.2019.03.013⟩, 2019
    academicJournal
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xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
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