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    Thermal desorption study on possible hydrogen sources and diffusion barriers in CMOS technology
    Remondina, Jacopo ; Portavoce, Alain ; et al.
    In: ISSN: 0167-577X ; Materials Letters ; https://hal.science/hal-04008154 ; Materials Letters, 2023, 337, pp.133916. ⟨10.1016/j.matlet.2023.133916⟩, 2023
    Online academicJournal
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    Hot-carrier evaluation of a zero-cost transistor developed via process optimization in an embedded non-volatile memory CMOS technology
    Devoge, P. ; Aziza, Hassen ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 2021
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Architecture optimization of SPAD integrated in 28 nm FD-SOI CMOS technology to reduce the DCR
    Issartel, D. ; Gao, S. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-03651521 ; Solid-State Electronics, 2022, 191, pp.108297. ⟨10.1016/j.sse.2022.108297⟩, 2022
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Detailed electrical characterization of 200mm CMOS compatible GaN/Si HEMTs down to deep cryogenic temperatures
    Kim, Donghyun ; Theodorou, C. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-03769945 ; Solid-State Electronics, 2022, 197, pp.108448. ⟨10.1016/j.sse.2022.108448⟩ ; https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0038110122002192, 2022
    Online academicJournal
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    Volltext
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    Design and characterization of a monolithic CMOS-MEMS mutually injection-locked oscillator for differential resonant sensing
    Prache, Pierre ; Juillard, Jérome ; et al.
    In: ISSN: 0924-4247 ; EISSN: 1873-3069, 2018
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Evolution of low frequency noise and noise variability through CMOS bulk technology nodes from 0.5μm down to 20nm
    Ioannidis, E.G. ; Haendler, S. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01947609 ; Solid-State Electronics, 2014, 95, pp.28-31. ⟨10.1016/j.sse.2014.03.002⟩, 2014
    academicJournal
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    Sub-20 nm multilayer nanopillar patterning for hybrid SET/CMOS integration
    Pourteau, Marie-Line ; Gharbi, Ahmed ; et al.
    In: ISSN: 2590-0072 ; Micro and Nano Engineering ; https://cea.hal.science/cea-03409432 ; Micro and Nano Engineering, 2020, 2020
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Step-gate polysilicon nanowires field effect transistor compatible with CMOS technology for label-free DNA biosensor
    Godem-Wenga, Gertrude ; Jacques, Emmanuel ; et al.
    In: ISSN: 0956-5663 ; Biosensors and Bioelectronics ; https://hal.science/hal-00787263 ; Biosensors and Bioelectronics, 2013, 40 (1), pp.141-146. ⟨10.1016/j.bios.2012.07.001⟩, 2013
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Integration of an Ultra-Fast Active Quenching Circuit with a Monolithic 3D SPAD Pixel in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology
    Lakeh, Mohammadreza Dolatpoor ; Kammerer, Jean-Baptiste ; et al.
    In: ISSN: 0924-4247 ; EISSN: 1873-3069, 2023
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Integration of an Ultra-Fast Active Quenching Circuit with a Monolithic 3D SPAD Pixel in a 28 nm FD-SOI CMOS Technology
    Dolatpoor Lakeh, Mohammadreza ; Kammerer, Jean-Baptiste ; et al.
    In: ISSN: 0924-4247 ; EISSN: 1873-3069, 2023
    academicJournal
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    Scaling of analog LDPC decoders in sub-100nm CMOS processes
    Zargham, Meysam ; Schlegel, Christian ; et al.
    In: ISSN: 0167-9260 ; Integration, the VLSI Journal ; https://hal.science/hal-00540873 ; Integration, 2010
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    Cartesian Feedback with Digital Enhancement for CMOS RF Transmitter
    Delaunay, Nicolas ; Dallet, Dominique ; et al.
    2015
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Design for thermal testability (DfTT) and a CMOS realization
    Szekely, V. ; Rencz, M. ; et al.
    In: ISSN: 0924-4247 ; EISSN: 1873-3069, 1996
    academicJournal
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    Metal-based folded-thermopile for 2.5D micro-thermoelectric generators
    Bel-Hadj, Ibrahim ; Bougrioua, Zahia ; et al.
    In: ISSN: 0924-4247 ; EISSN: 1873-3069, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    In depth characterization of electron transport in 14nm FD-SOI CMOS devices
    Shin, Minju ; Shi, Ming ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01947656 ; Solid-State Electronics, 2015, 112, pp.13-18. ⟨10.1016/j.sse.2015.02.012⟩, 2015
    academicJournal
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    Low temperature characterization of mobility in 14nm FD-SOI CMOS devices under interface coupling conditions
    Shin, Minju ; Shi, Ming ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-01947639 ; Solid-State Electronics, 2015, 108, pp.30-35. ⟨10.1016/j.sse.2014.12.013⟩, 2015
    academicJournal
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    BIMOS transistor solutions for ESD protection in FD-SOI UTBB CMOS technology
    Galy, Philippe ; Athanasiou, S. ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-02003184 ; Solid-State Electronics, 2016, 115, pp.192-200. ⟨10.1016/j.sse.2015.09.001⟩, 2016
    academicJournal
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    CMOS pixel sensors on high resistive substrate for high-rate, high-radiation environments
    Hirono, Toko ; Barbero, Marlon ; et al.
    In: ISSN: 0168-9002 ; EISSN: 1872-9576 ; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2016
    academicJournal
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    Simulation process flow for the implementation of industry-standard FD-SOI quantum dot devices
    Kriekouki, Ioanna ; Philippopoulos, Pericles ; et al.
    In: ISSN: 0038-1101 ; Solid-State Electronics ; https://hal.science/hal-04221597 ; Solid-State Electronics, 2023, 209, pp.Article 108777. ⟨10.1016/j.sse.2023.108777⟩, 2023
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    High power 2.5D integrated thermoelectric generators combined with microchannels technology
    Savelli, Guillaume ; Colonna, Jean-Philippe ; et al.
    In: ISSN: 0360-5442, 2022
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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