Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
898 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Publikation

Sprache

898 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Improvement of detection efficiency in near infrared of the photodetectors SPAD in a CMOS FD-SOI technology ; Amélioration de l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI
    Gao, Shaochen ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04246474 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ISAL0032⟩, 2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Improvement of detection efficiency in near infrared of the photodetectors SPAD in a CMOS FD-SOI technology ; Amélioration de l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI
    Gao, Shaochen ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04246474 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ISAL0032⟩, 2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Improvement of detection efficiency in near infrared of the photodetectors SPAD in a CMOS FD-SOI technology ; Amélioration de l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI
    Gao, Shaochen ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04246474 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ISAL0032⟩, 2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Improvement of detection efficiency in near infrared of the photodetectors SPAD in a CMOS FD-SOI technology ; Amélioration de l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI
    Gao, Shaochen ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04246474 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ISAL0032⟩, 2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Improvement of detection efficiency in near infrared of the photodetectors SPAD in a CMOS FD-SOI technology ; Amélioration de l’efficacité de détection dans le proche infrarouge de photodétecteurs de type SPAD intégrés dans une technologie CMOS FD-SOI
    Gao, Shaochen ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04246474 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. INSA de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ISAL0032⟩, 2023
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Transistor GaN on Si 200mm CMOS compatible for Ka band amplification : optimization of gate stack ; Transistor GaN sur Si 200mm compatible CMOS pour l'amplification de puissance en bande Ka : optimisation de l'empilement de grille
    Chanuel, Antoine ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04088113 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2022. Français. ⟨NNT : 2022ULILN034⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Transistor GaN on Si 200mm CMOS compatible for Ka band amplification : optimization of gate stack ; Transistor GaN sur Si 200mm compatible CMOS pour l'amplification de puissance en bande Ka : optimisation de l'empilement de grille
    Chanuel, Antoine ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04088113 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2022. Français. ⟨NNT : 2022ULILN034⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Calibration of a 28-nm FD-SOI CMOS 80 GHz Phased Array Receiver ; Étude et mise en œuvre d’une solution de calibration interne d’un réseau de récepteurs multi-phases à 80 GHz en CMOS 28-nm FD-SOI
    Le Ravallec, Antoine ; Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03852969 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2022. Français. ⟨NNT : 2022GRALT050⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Transistor GaN on Si 200mm CMOS compatible for Ka band amplification : optimization of gate stack ; Transistor GaN sur Si 200mm compatible CMOS pour l'amplification de puissance en bande Ka : optimisation de l'empilement de grille
    Chanuel, Antoine ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04088113 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2022. Français. ⟨NNT : 2022ULILN034⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Transistor GaN on Si 200mm CMOS compatible for Ka band amplification : optimization of gate stack ; Transistor GaN sur Si 200mm compatible CMOS pour l'amplification de puissance en bande Ka : optimisation de l'empilement de grille
    Chanuel, Antoine ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-04088113 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2022. Français. ⟨NNT : 2022ULILN034⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Calibration of a 28-nm FD-SOI CMOS 80 GHz Phased Array Receiver ; Étude et mise en œuvre d’une solution de calibration interne d’un réseau de récepteurs multi-phases à 80 GHz en CMOS 28-nm FD-SOI
    Le Ravallec, Antoine ; Laboratoire de Génie Electrique de Grenoble (G2ELab ) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03852969 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2022. Français. ⟨NNT : 2022GRALT050⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Development of an innovative 77 GHz radar receiver architecture and demonstration in 28 nm FDSOI CMOS ; Développement d'une architecture innovante de récepteur radar à 77 GHz et démonstration en CMOS 28 nm FDSOI
    Flete, Alexandre ; Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications (LAAS-MOST) ; et al.
    In: https://hal.laas.fr/tel-03811830 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. INPT, 2022. English, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Ultra-low power high data-rate transmitter for body-coupled communication in 28 nmFD-SOI CMOS ; Transmetteur très faible consommation et haut-débit pour les communications couplées au corps humain en 28 nm FD-SOI
    Tochou, Guillaume ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03890296 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2022. English. ⟨NNT : 2022ULILN003⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Ultra-low power high data-rate transmitter for body-coupled communication in 28 nmFD-SOI CMOS ; Transmetteur très faible consommation et haut-débit pour les communications couplées au corps humain en 28 nm FD-SOI
    Tochou, Guillaume ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03890296 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2022. English. ⟨NNT : 2022ULILN003⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ultra-low power high data-rate transmitter for body-coupled communication in 28 nmFD-SOI CMOS ; Transmetteur très faible consommation et haut-débit pour les communications couplées au corps humain en 28 nm FD-SOI
    Tochou, Guillaume ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03890296 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2022. English. ⟨NNT : 2022ULILN003⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Ultra-low power high data-rate transmitter for body-coupled communication in 28 nmFD-SOI CMOS ; Transmetteur très faible consommation et haut-débit pour les communications couplées au corps humain en 28 nm FD-SOI
    Tochou, Guillaume ; Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 (IEMN) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03890296 ; Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2022. English. ⟨NNT : 2022ULILN003⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Energy efficiency technics for advanced CMOS technologies ; Conception pour l’efficacité énergétique des circuits intégrés
    Engels, Sylvain ; Circuits, Devices and System Integration (TIMA-CDSI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03847683 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2022. Français. ⟨NNT : 2022GRALT051⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Energy efficiency technics for advanced CMOS technologies ; Conception pour l’efficacité énergétique des circuits intégrés
    Engels, Sylvain ; Circuits, Devices and System Integration (TIMA-CDSI) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03847683 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes [2020-.], 2022. Français. ⟨NNT : 2022GRALT051⟩, 2022
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Single Photon Avalanche Diode (SPAD) implementation in 28nm FD-SOI CMOS Technology ; Implémentation de diode à avalanche à photon unique (SPAD) dans une technologie CMOS FD-SOI 28nm
    Issartel, Dylan ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03670871 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon, 2021. Français. ⟨NNT : 2021LYSEI090⟩, 2021
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Single Photon Avalanche Diode (SPAD) implementation in 28nm FD-SOI CMOS Technology ; Implémentation de diode à avalanche à photon unique (SPAD) dans une technologie CMOS FD-SOI 28nm
    Issartel, Dylan ; Institut des Nanotechnologies de Lyon (INL) ; et al.
    In: https://theses.hal.science/tel-03670871 ; Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lyon, 2021. Français. ⟨NNT : 2021LYSEI090⟩, 2021
    Online Hochschulschrift
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -