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    Non-Volatile Wideband Frequency Tuning of a Ring-Oscillator by Charge Trapping in High-k Gate Dielectric in 22nm CMOS
    Iyer, Subramanian S. ; Nouri, Sepideh
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 110-113
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    AC Device Variability in High- <tex-math notation='LaTeX'>$\kappa$ </tex-math> Metal-Gate CMOS Technology
    Narayanan, Vijay ; Lee, Dongsoo ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), S. 13-16
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    Assessment of Germanane Field-Effect Transistors for CMOS Technology
    Yoon, Youngki ; AlMutairi, AbdulAziz ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-12-01), S. 1743-1746
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    Monolithic Three-Dimensional 65-nm CMOS-Nanoelectromechanical Reconfigurable Logic for Sub-1.2-V Operation
    Woo Young Choi ; Hyug Su Kwon ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-09-01), S. 1317-1320
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    Low-Leakage and Low-Trigger-Voltage SCR Device for ESD Protection in 28-nm High- $k$ Metal Gate CMOS Process
    Lin, Chun-Yu ; Ker, Ming-Dou ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-11-01), S. 1387-1390
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    Full-Swing Clock Generating Circuits on Plastic Using a-IGZO Dual-Gate TFTs With Pseudo-CMOS and Bootstrapping
    Mativenga, Mallory ; Geng, Di ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-07-01), S. 882-885
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    High-Voltage Generation in CMOS Photovoltaic Devices by Localized Substrate Removal
    Su, Hsiu-Wei ; Hung, Yung-Jr ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-06-01), S. 754-757
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    ESD Robust Fully Salicided 5-V Integrated Power MOSFET in Submicron CMOS
    Prabhu, Manjunatha ; Lee, Jian-Hsing ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-05-01), S. 623-625
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    Temperature-Driven Gate Geometry Effects in Nanoscale Cryogenic MOSFETs
    Cao, Yongfeng ; Zhang, Xiuhao ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), S. 661-664
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    Back-End-of-Line Nano-Electro-Mechanical Switches for Reconfigurable Interconnects
    Liu, Tiehui ; Sikder, Urmita ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-04-01), S. 625-628
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    SRAM With Buried Power Distribution to Improve Write Margin and Performance in Advanced Technology Nodes
    Mohit Kumar Gupta ; Ryckaert, Julien ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-08-01), S. 1261-1264
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    Phase Transition FETs for Improved Dynamic Logic Gates
    Núñez, Juan ; Avedillo, Maria J. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), S. 1776-1779
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    Experimental Demonstration of AlN Heat Spreaders for the Monolithic Integration of Inline Phase-Change Switches
    Nabil, El-Hinnawy ; Young, Robert M. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-04-01), S. 610-613
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    First-Principles Simulations of FETs Based on Two-Dimensional InSe
    Iannaccone, Giuseppe ; Marin, Enrique G. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-04-01), S. 626-629
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    Resistor-Triggered SCR Device for ESD Protection in High-Speed I/O Interface Circuits
    Chen, Chun-Yu ; Lin, Chun-Yu
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-06-01), S. 712-715
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    Time-Resolved Measurement of Negative Capacitance
    Ni, Kai ; Zhang, Jianchi ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-02-01), S. 272-275
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    1-V Full-Swing Depletion-Load a-In–Ga–Zn–O Inverters for Back-End-of-Line Compatible 3D Integration
    Chi, Li-Jen ; Hou, Tuo-Hung ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-04-01), S. 441-444
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    The Impact of Self-Heating on Charge Trapping in High- <tex-math notation='LaTeX'>$k$ </tex-math>-Metal-Gate nFETs
    J. Campbell Scott ; Iyer, Subramanian S. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016), S. 88-91
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    Embedded Nano-Electro-Mechanical Memory for Energy-Efficient Reconfigurable Logic
    Stojanovic, Vladimir ; Tsu-Jae King Liu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-12-01), S. 1563-1565
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    An Ultra-Short Channel Monolayer MoS2 FET Defined By the Curvature of a Thin Nanowire
    Kang, Jiahao ; Cao, Wei ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 37 (2016-11-01), S. 1497-1500
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