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    Hybrid CMOS-PCM temperature sensor
    Suri, Manan ; Kumar, Manoj
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-06-01), Heft 6, S. 065205-65205
    Online unknown
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    Backside passivation for improving the noise performance in CMOS image sensor
    Zhu, Hao ; Sun, Peng ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-04-01), Heft 4, S. 045229-45229
    Online unknown
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    On the integration of ultrananocrystalline diamond (UNCD) with CMOS chip
    Carpick, Robert W. ; Mi, Hongyi ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-03-01), Heft 3, S. 035121-35121
    Online unknown
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    Characterization of total ionizing dose damage in COTS pinned photodiode CMOS image sensors
    Wang, Zujun ; Xue, Yuan ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 6 (2016-03-01), Heft 3, S. 035205-35205
    Online unknown
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    Polycrystalline Terfenol-D thin films grown at CMOS compatible temperature
    Prikhodko, Sergey V. ; Lee, Taehwan ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 8 (2018-05-01), Heft 5, S. 056404-56404
    Online unknown
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    Theoretical and experimental study of the dark signal in CMOS image sensors affected by neutron radiation from a nuclear reactor
    Wang, Zujun ; Jin, Junshan ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-12-01), Heft 12, S. 125222-125222
    Online unknown
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    Silicon single-electron random number generator based on random telegraph signals at room temperature
    Li, Zuo ; Rutt, Harvey N. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-11-01), Heft 11, S. 115101-115101
    Online unknown
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    Development of a high-performance readout circuit for photoelectric detectors
    Yuan, Honghui ; Chen, Yongping
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-10-01), Heft 10, S. 105026-105026
    Online unknown
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    Channel geometry-dependent threshold voltage and transconductance degradation in gate-all-around nanosheet junctionless transistors
    Jeon, Dae-Young
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-05-01), Heft 5, S. 055111-55111
    Online unknown
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    Large-area in plane molecular junctions by electrografting in 10 nm metallic nanotrenches
    Rastikian, Jacko ; Barraud, Clément ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-02-01), Heft 2, S. 025023-25023
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Physics-informed machine learning model for bias temperature instability
    Lee, Jonghwan
    In: AIP Advances, Jg. 11 (2021-02-01), Heft 2, S. 025111-25111
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Charge trapping analysis in sputtered BixSe1-x based accumulation-mode FETs
    Wang, Jian-Ping ; Sahu, Protyush ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020), Heft 1, S. 015315-15315
    Online unknown
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    Simple estimation of intrinsic electrical parameters in junctionless transistors
    Jeon, Dae-Young
    In: AIP Advances, Jg. 10 (2020-09-01), Heft 9, S. 095118-95118
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Transient current technique for charged traps detection in silicon bonded interfaces
    Charrier, C. ; Mapelli, A. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 9 (2019-02-01), Heft 2, S. 025307-25307
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Spin pumping driven auto-oscillator for phase-encoded logic—device design and material requirements
    Kani, Nickvash ; Rakheja, Shaloo
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-05-01), Heft 5, S. 055905-55905
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    On device design for steep-slope negative-capacitance field-effect-transistor operating at sub-0.2V supply voltage with ferroelectric HfO2 thin film
    Hiramoto, Toshiro ; Kobayashi, Masaharu
    In: AIP Advances, Jg. 6 (2016-02-01), Heft 2, S. 025113-25113
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Design of low bias voltage Ge/SiGe multiple quantum wells electro-absorption modulator at 1550 nm
    Jiang, Jialin ; Zhou, Yang ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-03-01), Heft 3, S. 035317-35317
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    The investigation of the diameter dimension effect on the Si nano-tube transistors
    Liao, Ming-Han ; Yeh, C.-H. ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 6 (2016-03-01), Heft 3, S. 035021-35021
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Ambipolar field-effect transistors by few-layer InSe with asymmetry contact metals
    Rajesh Kumar Ulaganathan ; Lin, Chang-Yu ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-07-01), Heft 7, S. 075314-75314
    Online unknown
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    Fabrication of silicon films from patterned protruded seeds
    Zeng, Huang ; Jizhou, Li ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 7 (2017-05-01), Heft 5, S. 055307-55307
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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