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    Design of CMOS active pixels based on finger-shaped PPD
    Han, Liqiang ; Xu, Jiangtao ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-10-01), S. 102301-102301
    Online unknown
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    Neutron induced noise degradation of ASICs in 350 nm CMOS technology
    Yaoguang, Liu ; Ying, Zhang ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-10-19), S. T10005
    Online unknown
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    Development of a CMOS-compatible contact technology for III–V materials and Si photonics
    Nemouchi, Fabrice ; Rodriguez, Philippe ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2020-03-30), S. SL0801
    Online unknown
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    Adhesive wafer bonding for CMOS based lab-on-a-chip devices
    Thon, Jan-Erik ; Schikowski, Marc ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 59 (2020-01-03), S. SBBD04
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    Micrometric laser characterization of a 300μm fully-depleted monolithic active pixel sensor in standard 110 nm CMOS technology
    Giampaolo, R. A.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 15 (2020-06-24), S. C06052
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    CMOS-compatible GaN-on-Si HEMTs with cut-off frequency of 210 GHz and high Johnson’s figure-of-merit of 8.8 THz V
    Geok Ing Ng ; Kenneth Eng Kian Lee ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 13 (2020-01-10), S. 026503-26503
    Online unknown
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    Development of FELIX based readout system for HV-CMOS sensor testbeam
    M. Vicente Barrero Pinto ; Chen, Kai ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 14 (2019-01-10), S. P01013
    Online unknown
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    Radiation Effects Due to 3MeV Proton Irradiations on Back-Side Illuminated CMOS Image Sensors
    Li, Yudong ; Wang, Tian-Hui ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 35 (2018-07-01), S. 074201-74201
    Online unknown
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    Study of the depletion depth in a frontside biased CMOS pixel sensors
    Dorokhov, Andrei ; Baudot, J. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 14 (2019-01-17), S. P01018
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Charge collection characterisation with the Transient Current Technique of the ams H35DEMO CMOS detector after proton irradiation
    Golling, Tobias ; Kiehn, Moritz ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-10-01), S. P10004
    Online unknown
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    SET analysis and radiation hardening techniques for CMOS LNA topologies
    J. del Pino ; San-Miguel-Montesdeoca, Mario ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 33 (2018-07-12), S. 085010-85010
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Loss analysis and optimum design of a highly efficient and compact CMOS DC–DC converter with novel transistor layout using 60 nm multipillar-type vertical body channel MOSFET
    Endoh, Tetsuo ; Itoh, Kazuki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FR12
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
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    Design trade-off between spatial resolution and power consumption in CMOS biosensor circuit based on millimeter-wave LC oscillator array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-25), S. 03EC02
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Performance of four-terminal low-temperature polycrystalline-silicon thin-film transistors and their application in CMOS inverters on glass substrates
    Hara, Akito ; Utsumi, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-24), S. 03DB01
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Characterization of pixel sensor designed in 180 nm SOI CMOS technology
    Tomasek, L. ; Janoska, Z. ; et al.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-01-19), S. C01025
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 40 GHz fully integrated circuit with a vector network analyzer and a coplanar-line-based detection area for circulating tumor cell analysis using 65 nm CMOS technology
    Matsunaga, Maya ; Nakazato, Kazuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-10), S. 03EC01
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of drain current on appearance probability and amplitude of random telegraph noise in low-noise CMOS image sensors
    Park, Hyeonwoo ; Suwa, Tomoyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-14), S. 04FF08
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Performance enhancement of CMOS terahertz detector by drain current *
    Liao, Yiming ; Zhang, Xingxing ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 26 (2017-08-01), S. 098401-98401
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Possible layout solutions for the improvement of the dark rate of geiger mode avalanche structures in the GLOBALFOUNDRIES BCDLITE 0.18 μm CMOS technology
    D'Ascenzo, Nicola ; Xie, Q.
    In: Journal of Instrumentation, Jg. 13 (2018-04-27), S. T04007
    Online unknown
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