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    Electron Injection Improvement of n-Type Organic Field-Effect Transistors With Indium Contact Interlayer
    Huang, Fanming ; Chu, Junhao ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2440-2446
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    High Breakdown Voltage and Low-Current Dispersion in AlGaN/GaN HEMTs With High-Quality AlN Buffer Layer
    Jae Seok Hwang ; Eun Jin Kim ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1513-1517
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    Experimental Demonstration of Charge- Balanced GaN Super-Heterojunction Schottky Barrier Diode Capable of 2.8 kV Switching
    Lavelle, Robert M. ; Snyder, David W. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-12-01), S. 1758-1761
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    Enhancing Threshold Switching Characteristics and Stability of Vanadium Oxide-Based Selector With Vanadium Electrode
    Lin, Chun-Chu ; Lin, Chih-Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-11-01), S. 5059-5062
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    The Design of Aluminum Nitride-Based Lead-Free Piezoelectric MEMS Accelerometer System
    Tsai, Cheng-Che ; Wei, Chia-Ling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-10-01), S. 4399-4404
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    Mg0.35Zn0.65O/Al/ZnO Photodetectors With Capability of Identifying Ultraviolet-A/Ultraviolet-B
    Hou, Fu-Yuan ; Liu, Han-Yin ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), S. 2812-2818
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    MoO2 Sacrificial Layer for Optimizing Back Contact Interface of Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells
    Xu, Bin ; Lu, Xiaoshuang ; et al.
    In: IEEE Journal of Photovoltaics, Jg. 10 (2020-07-01), S. 1191-1200
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    Controllable Functional Layer and Temperature-Dependent Characteristic in Niobium Oxide Insulator–Metal Transition Selector
    Chang, Ting-Chang ; Lin, Chih-Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020-07-01), S. 2771-2777
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    A Novel Structure to Reduce Degradation Under Mechanical Bending in Foldable Low Temperature Polysilicon TFTs Fabricated on Polyimide
    Zhou, Kuan-Ju ; Tai, Mao-Chou ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), S. 725-728
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    Design of GaN/AlGaN/GaN Super-Heterojunction Schottky Diode
    Chu, Rongming ; Song, Jianan ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 67 (2020), S. 69-74
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    High-${Q}$ GaN Varactors for mm-Wave Applications: A Physics-Based Simulation Study
    Song, Jianan ; Han, Sang-Woo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-10-01), S. 4134-4139
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    Impact of Dehydrogenation Annealing Process Temperature on Reliability of Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors
    Zheng, Yu-Zhe ; Chen, Po-Hsun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019-10-01), S. 1638-1641
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    Investigating Material Changes at Different Gadolinium Doping Power Levels in Indium-Tin Oxide Intended for Use as an Insulator in Resistive Switching Memory
    Lin, Chih-Yang ; Ma, Xiaohua ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-06-01), S. 2595-2599
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    Impact of the Stacking Order of HfO x and AlO x Dielectric Films on RRAM Switching Mechanisms to Behave Digital Resistive Switching and Synaptic Characteristics
    Chu, Chi-Yan ; Chuang, Kai-Chi ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 589-595
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Random Telegraph Noise Read Instability Characteristics in a Megabit RRAM Array
    Chu, Wen-Ting ; Wu, Chun-Yu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 39 (2018-11-01), S. 1644-1647
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    Q-Switched Pulse and Mode-Locked Pulse Generation From a Yb3+-Doped Fiber Laser Based on Bi2Se3
    Huang, Guan-Hao ; Che, Kuan-Chin ; et al.
    In: IEEE Photonics Journal, Jg. 10 (2018-06-01), S. 1-10
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    Super Critical Fluid Technique to Enhance Current Output on Amorphous Silicon-Based Photovoltaic
    Su, Yu-Ting ; Chen, Hsin-Lu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-10-01), S. 1401-1404
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    Enhancement-Mode GaN MIS-HEMTs With LaHfOxGate Insulator for Power Application
    Gung Ning Huang ; Chia Hsun Wu ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 38 (2017-08-01), S. 1101-1104
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    High-Mobility CVD-Grown Ge/Strained Ge0.9Sn0.1/Ge Quantum-Well pMOSFETs on Si by Optimizing Ge Cap Thickness
    Huang, Chih-Hao ; Chu, Schubert S. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-06-01), S. 2498-2504
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    Wrinkled Single-Crystalline Germanium Nanomembranes for Stretchable Photodetectors
    Di, Zengfeng ; Mei, Yongfeng ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-05-01), S. 1985-1990
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