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    Adaptive Pulse Programming Scheme for Improving the Vth Distribution and Program Performance in 3D NAND Flash Memory
    Xiang, Fu ; Liu, Fei ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 102-107
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    TCAD Modeling of the Dynamic VTH Hysteresis Under Fast Sweeping Characterization in p-GaN Gate HEMTs
    Tallarico, A. N. ; Millesimo, M. ; et al.
    2022
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    Evaluation of VTH and RON Drifts during Switch-Mode Operation in Packaged SiC MOSFETs
    Mucci, Alessandro ; Verzellesi, Giovanni ; et al.
    In: Electronics, 2021
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    Investigation of Vth Distribution Tails of Ground-Select-Line Cells and Edge Dummy Cells in a 3-D NAND Flash Memory
    Wang, Tahui ; Ku, S. H. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2260-2264
    Online unknown
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    Experimental and numerical analysis of VTH and RON drifts in E-mode GaN HEMTs during switch-mode operation
    Chini, Alessandro ; Iucolano, Ferdinando
    2019
    Online unknown
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    Enhancement-Mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs With High VTH and High IDmax Using Recessed-Structure With Regrown AlGaN Barrier
    Asubar, Joel T. ; Kuzuhara, Masaaki ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 41 (2020-05-01), S. 693-696
    Online unknown
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    Investigation on VTH and RON Slow/Fast Drifts in SiC MOSFETs
    Cioni, Marcello ; Pavan, Paolo ; et al.
    2021
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    Correlation between spin density and Vth instability of IGZO thin-film transistors
    Jee Ho Park ; Soo Young Yoon ; et al.
    In: Current Applied Physics, Jg. 18 (2018-11-01), S. 1447-1450
    Online unknown
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    Investigation of Time-Dependent VTH Instability Under Reverse-bias Stress in Schottky Gate p-GaN HEMT
    Wang, Chengcai ; Jiang, Jiali ; et al.
    In: 2020 IEEE 9th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC2020-ECCE Asia), 2020-11-29
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Evolution of on-resistance (RON) and threshold voltage (VTH) in GaN HEMTs during switch-mode operation
    Chini, Alessandro ; Iucolano, Ferdinando
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 78 (2018-05-01), S. 127-131
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Investigation of the passivation-induced VTH shift in p-GaN HEMTs with Au-free gate-first process
    Yi Cheng Chen ; Cheng Hung Wu ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 122 (2021-07-01), S. 114150-114150
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Gate Reliability and VTH Stability Investigations of p-GaN HEMTs
    Zhang, Li ; Wang, Chengcai ; et al.
    In: 2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2020-11-03
    Online unknown
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    Re-Examination of Vth Window and Reliability in HfO2 FeFET Based on the Direct Extraction of Spontaneous Polarization and Trap Charge during Memory Operation
    Saitoh, Masumi ; Kamiya, Yuta ; et al.
    In: 2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2020-06-01
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    The Impact of AlGaN Barrier on Transient VTH Shifts and VTH Hysteresis in Depletion and Enhancement mode AlGaN/GaN MIS-HEMTs
    Liu, Wen ; Lu, Bohan ; et al.
    In: 2019 International Conference on IC Design and Technology (ICICDT), 2019-06-01
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Photovoltaic-Assisted Self-Vth-Cancellation CMOS RF Rectifier for Wide Power Range Operation
    Kotani, Koji ; Komiyama, Takao ; et al.
    In: 2018 IEEE Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC), 2018-11-01
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An External Vth-Compensation Scheme for Narrow Bezel Gate Driver Circuit
    Lin, Xinnan ; Chaw, Gary ; et al.
    In: 2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2019-06-01
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Superb Endurance and Appropriate Vth of PCM Pillar Cell using Buffer Layer for 3D Cross-Point Memory
    BrightSky, Matthew J. ; Cheng, Huai-Yu ; et al.
    In: 2019 IEEE 11th International Memory Workshop (IMW), 2019-05-01
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Origin of positive Vth shift and mobility effects in amorphous GaInZnO thin films
    Kim, Ki-Hong ; Heo, Sung ; et al.
    In: Thin Solid Films, Jg. 616 (2016-10-01), S. 456-460
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    P-1.8: External Compensation for TFT Vth&Mobility Using Linear Charge Sense Method in AMOLED Display
    Xie, Hong-Jun ; Jin, Yu-Feng
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 49 (2018-04-01), S. 541-543
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Buried metal line compatible with 3D sequential integration for top tier planar devices dynamic Vth tuning and RF shielding applications
    Parvais, B. ; Besnard, G. ; et al.
    In: 2019 Symposium on VLSI Technology, 2019-06-01
    Online unknown
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