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    CMOS-compatible GaN-on-Si HEMTs with cut-off frequency of 210 GHz and high Johnson’s figure-of-merit of 8.8 THz V
    Geok Ing Ng ; Kenneth Eng Kian Lee ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 13 (2020-01-10), S. 026503-26503
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    Loss analysis and optimum design of a highly efficient and compact CMOS DC–DC converter with novel transistor layout using 60 nm multipillar-type vertical body channel MOSFET
    Endoh, Tetsuo ; Itoh, Kazuki
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FR12
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    CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits
    Ercken, M. ; Thiam, A. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-16), S. 04FB08
    Online unknown
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    Design trade-off between spatial resolution and power consumption in CMOS biosensor circuit based on millimeter-wave LC oscillator array
    Nakazato, Kazuo ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-25), S. 03EC02
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    Performance of four-terminal low-temperature polycrystalline-silicon thin-film transistors and their application in CMOS inverters on glass substrates
    Hara, Akito ; Utsumi, Hiroki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-24), S. 03DB01
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    Effect of drain current on appearance probability and amplitude of random telegraph noise in low-noise CMOS image sensors
    Park, Hyeonwoo ; Suwa, Tomoyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-14), S. 04FF08
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    Performance enhancement of CMOS terahertz detector by drain current *
    Liao, Yiming ; Zhang, Xingxing ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 26 (2017-08-01), S. 098401-98401
    Online unknown
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    First-ever test and characterization of the AMS standard bulk 0.35 μm CMOS technology at sub-kelvin temperatures
    Rhouni, A ; Reveret, V. ; et al.
    In: Journal of Physics: Conference Series, Jg. 834 (2017-05-02), S. 012005-12005
    Online unknown
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    Soft/write-error-resilient CMOS/magnetic tunnel junction nonvolatile flip-flop based on majority-decision shared writing
    Hanyu, Takahiro ; Onizawa, Naoya
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-21), S. 04CF12
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    Heterogeneous integration of GaAs pHEMT and Si CMOS on the same chip
    Shen, Hong-Chang ; Wu, Lishu ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 25 (2016-06-01), S. 067306-67306
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    CMOS compatible SOI nanowire FET with charged dielectric for temperature sensing applications
    Roizin, Yakov ; Rosenwaks, Yossi ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 53 (2019-12-03), S. 065101-65101
    Online unknown
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    Novel source follower transistor structure without lightly doped drain for high performance CMOS image sensor
    Lee, Ga-Won ; Kwon, Sung-Kyu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-06-06), S. 08PD02
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    The past and future of multi-gate field-effect transistors: Process challenges and reliability issues
    Chen, Bing ; Zhang, Rui ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 42 (2021-02-01), S. 023102-23102
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    Solution-processed high-k dielectrics for improving the performance of flexible intrinsic Ge nanowire transistors: dielectrics screening, interface engineering and electrical properties
    Xie, Zijian ; Yu, Xu ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 52 (2019-09-26), S. 505103-505103
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A review on performance comparison of advanced MOSFET structures below 45 nm technology node
    Mendiratta, Namrata ; Suman Lata Tripathi
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 41 (2020-06-01), S. 061401-61401
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    Impacts of atomistic surface roughness on electronic transport in n-type and p-type MoS2 field-effect transistors
    Wu, Jixuan ; Ma, Xiaolei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 58 (2019-10-22), S. 110905-110905
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    A review of III–V planar nanowire arrays: selective lateral VLS epitaxy and 3D transistors
    Zhang, Chen ; Miao, Xin ; et al.
    In: Journal of Physics D: Applied Physics, Jg. 50 (2017-09-01), S. 393001-393001
    Online unknown
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    Total ionizing dose effects in multiple-gate field-effect transistor
    Marcandella, Claude ; Richard, Nicolas ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-07-04), S. 083003-83003
    Online unknown
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    Total ionizing dose effects in pinned photodiode complementary metal-oxide-semiconductor transistor active pixel sensor
    Wang, Tian-Hui ; Guo, Qi ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 27 (2018-10-01), S. 104207-104207
    Online unknown
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    Silicon and germanium nanowire electronics: physics of conventional and unconventional transistors
    Weber, Walter M. ; Mikolajick, Thomas
    In: Reports on Progress in Physics, Jg. 80 (2017-04-10), S. 066502-66502
    Online unknown
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