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    A boosted negative bit-line SRAM with write-assisted cell in 45 nm CMOS technology
    Bhatnagar, Vipul ; Kumar, Pradeep ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-02-01), S. 025001-25001
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    Performance enhancement of CMOS terahertz detector by drain current *
    Liao, Yiming ; Zhang, Xingxing ; et al.
    In: Chinese Physics B, Jg. 26 (2017-08-01), S. 098401-98401
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    Enhancement in open-circuit voltage of implantable CMOS-compatible glucose fuel cell by improving the anodic catalyst
    Niitsu, Kiichi ; Kobayashi, Atsuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2016-11-10), S. 01AH04
    Online unknown
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    Design and experimental verification of CMOS magnetic-based microbead detection using an asynchronous intra-chip inductive-coupling transceiver
    Yoshida, Kohei ; Niitsu, Kiichi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2016-11-10), S. 01AH05
    Online unknown
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    Energy-efficient and low-voltage design methodology for a supply-sensing CMOS biosensor using biofuel cells for energy-autonomous healthcare applications
    Kobayashi, Atsuki ; Ikeda, Kei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2016-11-08), S. 01AH03
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    A common-gate bootstrapped CMOS rectifier for VHF isolated DC–DC converter
    Zhang, Feng ; Li, Jinliang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-06-01), S. 055002-55002
    Online unknown
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    Design, experimental verification, and analysis of a 1.8-V-input-range voltage-to-current converter using source degeneration for low-noise multimodal CMOS biosensor array
    Niitsu, Kiichi ; Ikeda, Kei ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2016-11-22), S. 01AH06
    Online unknown
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    Voltage-tolerant circuit design for fully CMOS-compatible differential multiple-time programmable nonvolatile memories
    Chiu, Hou-Jen ; Wu, Chia-You ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-15), S. 04CF10
    Online unknown
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    High-stage analog accumulator for TDI CMOS image sensors
    Fujun, Huang ; Yong, Zong ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 37 (2016-02-01), S. 025001-25001
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    Design and experimental verification of low-voltage two-dimensional CMOS electrophoresis platform with 32 × 32 sample/hold cell array
    Niitsu, Kiichi ; Yamaji, Yuuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-02-10), S. 03DF07
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    Tunnel FinFET CMOS inverter with very low short-circuit current for ultralow-power Internet of Things application
    Fukuda, Koichi ; Ota, Hiroyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-27), S. 04CD19
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    A 0.19 ppm/°C bandgap reference circuit with high-PSRR
    Huan, Xu ; Lu, Yangyang ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-09-01), S. 095002-95002
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CNFET-based voltage rectifier circuit for biomedical implantable applications
    Xia, Yinshui ; Qian, Libo ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-02-01), S. 025003-25003
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High-gain complementary metal-oxide-semiconductor inverter based on multi-layer WSe2field effect transistors without doping
    Lee, Jong-Ho ; Kang, Won-Mook ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 31 (2016-09-01), S. 105001-105001
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    Twin-bit via resistive random access memory in 16 nm FinFET logic technologies
    Chrong Jung Lin ; Shih, Yi-Hong ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-22), S. 04FE15
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    Progress and opportunities in high-voltage microactuator powering technology towards one-chip MEMS
    Mori, Isao ; Morishita, Satoshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-15), S. 04FA05
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Simulation of planar single-gate Si tunnel FET with average subthreshold swing of less than 60 mV/decade for 0.3 V operation
    Tanimoto, Hiroyoshi ; Shimokawa, Junji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-06), S. 04FD09
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Impact of underlap spacer region variation on electrostatic and analog performance of symmetrical high-kSOI FinFET at 20 nm channel length
    Jain, Neeraj ; Raj, Balwinder
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 38 (2017-12-01), S. 122002-122002
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Sidewall electrode TiO x /TiO x N y resistive random access memory with excellent memory window control and reliability using plasma oxidation and a novel degradation-detecting writing algorithm
    Gong, Jeng ; Khwa, Win-San ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-24), S. 04CE11
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    High-efficiency MOSFET bridge rectifier for AlN MEMS cantilever vibration energy harvester
    Okada, Hironao ; Kobayashi, T. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-06), S. 04CC03
    Online unknown
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