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    Toward Monolithically Integrated Hybrid CMOS-NEM Circuits
    Horace-Herron, Kelsey ; Usai, Giulia ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-12-01), S. 6430-6436
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    Design, modelling and testing of CMOS-MEMS switch
    Mehmood, Farhan ; Ahmad, Farooq ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 27 (2021-04-26), S. 2543-2552
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    All-Silicon Microdisplay Using Efficient Hot-Carrier Electroluminescence in Standard 0.18μm CMOS Technology
    Luo, Qian ; Xu, Kaikai ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021-04-01), S. 541-544
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    Demonstration of CMOS-Compatible Multi-Level Graphene Interconnects With Metal Vias
    Banerjee, Kaustav ; Agashiwala, Kunjesh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 2083-2091
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    Schottky-Embedded Silicon-Controlled Rectifier With High Holding Voltage Realized in a 0.18-μm Low-Voltage CMOS Process
    Peng, Bo-Wei ; Chang, Rong-Kun ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1764-1771
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    3-D CMOS Chip Stacking for Security ICs Featuring Backside Buried Metal Power Delivery Networks With Distributed Capacitance
    Miura, Noriyuki ; Okidono, Takaaki ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 2077-2082
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    Analysis of Charge Transfer Potential Barrier in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensors
    Sarkar, Mukul ; Khan, Uzma
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), S. 2770-2777
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    0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
    Mendes, Paulo ; Almeida, Goncalo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2167-2172
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    Improved Correlated Multiple Sampling by Using Interleaved Pixel Source Follower for High-Resolution and High-Framerate CMOS Image Sensor
    Tomioka, Kohei ; Kikuchi, Kodai ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2326-2334
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The Impact of Holding Voltage of Transient Voltage Suppressor (TVS) on Signal Integrity of Microelectronics System With CMOS ICs Under System-Level ESD and EFT/Burst Tests
    Shen, Yu-Shu ; Ker, Ming-Dou
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-05-01), S. 2152-2159
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Empirical Large-Signal Modeling of mm-Wave FDSOI CMOS Based on Angelov Model
    Rudolph, Matthias ; Dang Khoa Huynh ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1446-1453
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Staggered Pixel Layout to Reduce Area and Increase Full Well Capacity in CMOS Image Sensors
    Musolino, M. ; Choubey, Bhaskar ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 572-577
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    Stand-by Power Reduction Using Experimentally Demonstrated Nano-Electromechanical Switch in CMOS Technologies
    Goel, Mayank ; Saha, Sumit ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-02-01), S. 746-752
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    Nanowire Array-based MOSFET for Future CMOS Technology to Attain the Ultimate Scaling Limit
    Bhol, Krutideepa ; Nanda, Umakanta
    In: Silicon, Jg. 14 (2021-01-07), S. 1169-1177
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    The Impact of LCE and PAMDLE Regarding Different CMOS ICs Nodes and High Temperatures
    Salvador Pinillos Gimenez ; Renaux, Christian ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 415-423
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    Non-Volatile Wideband Frequency Tuning of a Ring-Oscillator by Charge Trapping in High-k Gate Dielectric in 22nm CMOS
    Iyer, Subramanian S. ; Nouri, Sepideh
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 110-113
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    Demonstration of CMOS Integration With High-Voltage Double-Implanted MOS in 4H-SiC
    Huang, Chih-Fang ; Hung, Jia-Ching ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 42 (2021), S. 78-81
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    Analysis of Transfer Gate Doping Profile Influence on Dark Current and FWC in CMOS Image Sensors
    Xu, Jiangtao ; Gao, Zhiyuan ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 27-35
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Characteristics of Stacked Gate-All-Around Si Nanosheet MOSFETs With Metal Sidewall Source/Drain and Their Impacts on CMOS Circuit Properties
    Sung, Wen-Li ; Li, Yiming
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), S. 3124-3128
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    Random Telegraph Signal in n+/p-Well CMOS Single-Photon Avalanche Diodes
    Jiang, Wei ; M. Jamal Deen
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 68 (2021-06-01), S. 2764-2769
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