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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from ‘on-the-fly’ measurements
    Nafria, M. ; Rodriguez, Rosana ; et al.
    2021
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    A 0.6 V 117 nW high performance energy efficient system-on-chip (SoC) CMOS temperature sensor in 0.18 µm CMOS for aerospace applications
    Vishwanthan, Vedam ; Nath, Vijay ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 25 (2018-08-30), S. 2301-2311
    Online unknown
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    A smart noise- and RTN-removal method for parameter extraction of CMOS aging compact models
    Diaz-Fortuny, Javier ; Fernández, Francisco V. ; et al.
    2019
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    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
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    Potential of 4H-SiC CMOS for High Temperature Applications Using Advanced Lateral p-MOSFETs
    Bauer, Anton J. ; Erlbacher, Tobias ; et al.
    In: Materials Science Forum, Jg. 858 (2016-05-01), S. 821-824
    Online unknown
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    Performance Analysis of a Charge Plasma Junctionless Nanotube Tunnel FET Including the Negative Capacitance Effect
    Kumar, Naveen ; Anand, Sunny ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 49 (2020-01-31), S. 2349-2357
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Soft error hardened voltage bootstrapped Schmitt trigger design for reliable circuits
    Santosh Kumar Vishvakarma ; Rana Sagar Kumar ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01), S. 114013-114013
    Online unknown
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    Electrical Stability Impact of Gate Oxide in Channel Implanted SiC NMOS and PMOS Transistors
    Ramsay, E.P. ; Horsfall, A. B. ; et al.
    In: Materials Science Forum, Jg. 897 (2017-05-01), S. 513-516
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Hot-carrier-injection resilient RF power amplifier using adaptive bias
    Palumbo, Felix ; Aguirre, Fernando L. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 114 (2020-11-01), S. 113912-113912
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Ultra-thin body & buried oxide SOI substrate development and qualification for Fully Depleted SOI device with back bias capability
    Girard, Christophe ; Nguyen, Bich-Yen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 117 (2016-03-01), S. 2-9
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Study of current-mode active pixel sensor circuits using amorphous InSnZnO thin-film transistor for 50-μm pixel-pitch indirect X-ray imagers
    Kanicki, Jerzy ; Zhao, Chumin ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 131 (2017-05-01), S. 53-64
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Threshold voltage control in TmSiO/HfO2 high-k/metal gate MOSFETs
    Hellström, Per-Erik ; Östling, Mikael ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 108 (2015-06-01), S. 24-29
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Device- and circuit-level variability due to random discrete dopant in resist- and spacer-defined nanoscale FinFETs
    Rana, Ashwani K. ; Rituraj Singh Rathore
    In: Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, Jg. 17 (2018-03-19), S. 1-1
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Mono-Type TFT Logic Architectures for Low Power Systems on Panel Applications
    Lee, Sungsik ; Yang, Yifan ; et al.
    In: Journal of Display Technology, 2016, S. 1-1
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Minimum energy solution for ultra-low power applications
    Verma, R. ; Dokania, Vishesh ; et al.
    In: Microsystem Technologies, Jg. 25 (2018-02-15), S. 1823-1831
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Elimination of the channel current effect on the characterization of MOSFET threshold voltage using junction capacitance measurements
    Malesinska, Jolanta ; Tomaszewski, Daniel ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 92-101
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Shoot-through protection for an inverter consisting of the next-generation IGBTs with gate impedance reduction
    Tsukuda, Masanori ; Hasegawa, Kazunori ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 114 (2020-11-01), S. 113765-113765
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Impact of NBTI induced variations on delay locked loop multi-phase clock generator
    Sriram, S. R. ; Bindu, B.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 60 (2016-05-01), S. 33-40
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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