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    Titanium dioxide nanowire sensor array integration on CMOS platform using deterministic assembly
    Schulman, Daniel S. ; Zhong, Xiahua ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-05-20), Heft 26
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    A reliable and controllable graphene doping method compatible with current CMOS technology and the demonstration of its device applications
    Song, Minho ; Shin, Somyeong ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-04-05), Heft 17
    Online unknown
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    CMOS-compatible Si metasurface at visible wavelengths prepared by low-temperature green laser annealing
    Yang, Kiyeon ; Kim, Yongsung ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2018-11-20), S. 045301-45301
    Online unknown
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    Mask-less deposition of Au–SnO2nanocomposites on CMOS MEMS platform for ethanol detection
    Ray, Samit K. ; A. De Luca ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-02-18), S. 125502-125502
    Online unknown
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    A general approach for high yield fabrication of CMOS-compatible all-semiconducting carbon nanotube field effect transistors
    Islam, Muhammad R. ; Khondaker, Saiful I. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 23 (2012-03-09), Heft 12
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    Ge quantum wire memristor
    Sistani, Masiar ; Seifner, Michael S. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-07-11), Heft 44
    Online unknown
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    Interlayer exchange couple based reliable and robust 3-input adder design methodology
    Sivasubramani, Santhosh ; Acharyya, Amit ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2020-11-25), Heft 32
    Online unknown
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    Metal chalcogenides for neuromorphic computing: emerging materials and mechanisms
    Hammett, Breanne ; Ferguson, Andrew J. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2020-09-04), Heft 37
    Online unknown
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    MoS2/pentacene hybrid complementary inverter based photodetector with amplified voltage–output
    Ji, Dong ; Jiang, Chao ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2020-10-19), S. 015203-15203
    Online unknown
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    Implementation of an efficient magnetic tunnel junction-based stochastic neural network with application to iris data classification
    Farooq Ahmad Khanday ; Nisar, Arshid ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-10-06), S. 504001-504001
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Understanding ambipolar transport in MoS2 field effect transistors: the substrate is the key
    Leonhardt, Alessandra ; Lin, Dennis ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-01-06), S. 135202-135202
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    GaN-based complementary inverter logic gate using InGaN/GaN superlattice capped enhancement-mode field-effect-transistors
    Ganguly, Swaroop ; Saha, Dipankar ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-05-12), S. 315206-315206
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Growth dynamics of SiGe nanowires by the vapour-liquid-solid method and its impact on SiGe/Si axial heterojunction abruptness
    Periwal, P. ; Baron, Thierry ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-06-06), Heft 35
    Online unknown
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    Volatile organic compounds discrimination based on dual mode detection
    Zhang, Hao ; Chen, Yan ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-02-28), Heft 24
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nanoscale resistive switching memory devices: a review
    Mikolajick, Thomas ; Slesazeck, Stefan
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-06-11), S. 352003-352003
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    [Untitled]
    In: Nanotechnology
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Nanoscale refractory doped titanium nitride field emitters
    Turchetti, Marco ; Yang, Yujia ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-05-14), S. 315208-315208
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Data retention and low voltage operation of Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2 based ferroelectric tunnel junctions
    Nishida, Toshikazu ; Moghaddam, Saeed ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-07-14), S. 39LT01
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-noise, high-detectivity, polarization-sensitive, room-temperature infrared photodetectors based on Ge quantum dot-decorated Si-on-insulator nanowire field-effect transistors
    Dhyani, Veerendra ; Sarkar, Arijit ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-05-10), S. 315205-315205
    Online unknown
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    Lateral monolayer MoS2 homojunction devices prepared by nitrogen plasma doping
    Zeng, Xiangbin ; Zhou, Yufei ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2020-10-08), S. 015701-15701
    Online unknown
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