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    Surface passivation of n-type doped black silicon by atomic-layer-deposited SiO2/Al2O3 stacks
    B. W. H. van de Loo ; Isabella, Olindo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 110 (2017-06-27), Heft 26
    Online unknown
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    Defect evaluation in strain-relaxed Ge0.947Sn0.053 grown on (001) Si
    Bender, Hugo ; Shimura, Y. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-11-05), S. 192103-192103
    Online unknown
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    Carrier scattering induced linewidth broadening in in situ P-doped Ge layers on Si
    Srinivasan, S. A. ; Pantouvaki, M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-10-15), S. 161101-161101
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Electrical properties of extended defects in strain relaxed GeSn
    Vrielinck, Henk ; Gencarelli, Federica ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 113 (2018-07-09), S. 022102-22102
    Online unknown
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    On the manifestation of phosphorus-vacancy complexes in epitaxial Si:P films
    Vandervorst, Wilfried ; Simoen, Eddy ; et al.
    In: APPLIED PHYSICS LETTERS, Jg. 108 (2016), Heft 8
    Online unknown
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    Measurement of a magnonic crystal at millikelvin temperatures
    Karenowska, A. D. ; A. F. van Loo ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 112 (2018), S. 012402-12402
    Online unknown
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    Selective area growth of high quality InP on Si (001) substrates
    Richard, Olivier ; Wang, Gang ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 97 (2010-09-20), S. 121913-121913
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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