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    Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration
    Liu, Bo ; Song, Sannian ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-01), S. 326-331
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    CMOS- compatible fabrication method of graphene-based micro devices
    Czajka, Ryszard ; El-Ahmar, Semir ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 67 (2017-08-01), S. 92-97
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    Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter
    Prasanna Kumar Sahu ; Soumya Ranjan Panda ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 66 (2017-08-01), S. 87-91
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    Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies
    Rozé, F. ; Baron, Thierry ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 105-110
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    Effects of high in-situ source/drain boron doping in p-FinFETs on physical and device performance characteristics
    Fu, Bianzhu ; Yong, Chloe ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 82 (2018-08-01), S. 9-13
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    Computational analysis of multi-contact phase change device for toggle logic operations
    Silva, Helena ; Gokirmak, Ali ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 134 (2021-11-01), S. 106042-106042
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    Ion implantation of advanced silicon devices: Past, present and future
    Current, Michael I.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 62 (2017-05-01), S. 13-22
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    Metallic Schottky barrier source/drain nanowire transistors using low-temperature microwave annealed nickel, ytterbium, and titanium silicidation
    Chen, Yu-Hsuan ; Huang, Ming-Kun ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 272-278
    Online unknown
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    N-type Doping Strategies for InGaAs
    Aldridge, Henry ; Law, Mark E. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 62 (2017-05-01), S. 171-179
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    Doping of semiconductor devices by Laser Thermal Annealing
    Mori, Yoshihiro ; Huet, Karim ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 62 (2017-05-01), S. 92-102
    Online unknown
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    Ultimate vertical gate-all-around metal–oxide–semiconductor field-effect transistor and its three-dimensional integrated circuits
    Ye, Shujun ; Endoh, Tetsuo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 134 (2021-11-01), S. 106046-106046
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Hole mobility in Strained Si/Relaxed SiGe/Si(110) hetero structures studied by gated Hall measurements
    Arimoto, Keisuke ; Namiuchi, Daichi ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 113 (2020-07-01), S. 105052-105052
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The use of interface-sensitive test structure comprising of shallow trench isolation as a tool for analyzing the quality of Si–SiO2 interfaces
    Kaminski, Yelena ; Shauly, Eitan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 44 (2016-03-01), S. 64-70
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    Simulation of thermo-mechanical effect in bulk-silicon FinFETs
    Burenkov, Alex ; Lorenz, Juergen
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 42 (2016-02-01), S. 242-246
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Structural and electrical studies on Ti/Al-based Au-free ohmic contact metallization for AlGaN/GaN HEMTs
    Taube, Andrzej ; Bazarnik, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 96 (2019-06-01), S. 153-160
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    Effect of rapid thermal annealing on bulk micro-defects and plastic deformation in silicon during high temperature processing
    Lee, Ki-Sang ; Ho Seong Lee ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 85 (2018-10-01), S. 83-89
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    Investigation on surface smoothing of silicon-on-insulator with gas phase hydrogen chloride etching
    Gao, Yuan ; Wei, Xing ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 130 (2021-08-01), S. 105842-105842
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    Low-temperature formation of self-assembled Ge quantum dots on Si(100) under high carbon mediation via solid-phase epitaxy
    Washio, Katsuyoshi ; Kawashima, Tomoyuki ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 167-172
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    Impact of Yb, In, Ag and Au thin film substrates on the crystalline nature, Schottky barrier formation and microwave trapping properties of Bi 2 O 3 films
    Khanfar, Hazem K. ; Khusayfan, Najla M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 64 (2017-06-01), S. 63-70
    Online unknown
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    Analytical modeling of subthreshold characteristics of ion-implanted symmetric double gate junctionless field effect transistors
    Jit, Satyabrata ; Singh, Balraj ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 58 (2017-02-01), S. 82-88
    Online unknown
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