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    Comprehensive n- and pMOSFET Channel Material Benchmarking and Analysis of CMOS Performance Metrics Considering Quantum Transport and Carrier Scattering Effects
    Kim, Raseong ; Young, Ian A. ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 505-523
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    Single-Crystalline Si-CMOS Circuit Fabrication on Polyethylene Terephthalate Substrate by Meniscus Force-Mediated Layer Transfer
    Mizukami, Ryutatsu ; Hanafusa, Hiroaki ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 943-948
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    A Low-Energy High-Density Capacitor-Less I&F Neuron Circuit Using Feedback FET Co-Integrated With CMOS
    Park, Kyungchul ; Lee, Junil ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 1080-1084
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    Ultrahigh-Sensitive CMOS pH Sensor Developed in the BEOL of Standard 28 nm UTBB FDSOI
    Souifi, Abdelkader ; Drouin, Dominique ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1026-1032
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    GAAFET Versus Pragmatic FinFET at the 5nm Si-Based CMOS Technology Node
    Fossum, Jerry G. ; Huang, Ya-Chi ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017-05-01), S. 164-169
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    Low-Power Vertical Tunnel Field-Effect Transistor Ternary Inverter
    Kwon, Daewoong ; Hyun Woo Kim
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 286-294
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    Parasitic Capacitance Analysis of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
    Gaillardon, Pierre-Emmanuel ; Cadareanu, Patsy ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 9 (2021), S. 400-408
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    Under-FET Thermal Sensor Enabling Smart Full-Chip Run-Time Thermal Management
    Li, Cheng ; Chen, Qi ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1242-1248
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    Novel 10-nm Gate Length MoS2 Transistor Fabricated on Si Fin Substrate
    Yin, Huaxiang ; Pan, Yu ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 483-488
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    Rail-to-Rail Timing Signals Generation Using InGaZnO TFTs For Flexible X-Ray Detector
    Rovisco, Ana ; Martins, Jorge ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 157-162
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    Germanium Twin-Transistor Nonvolatile Memory With FinFET Structure
    Lee, Yao-Jen ; Yeh, Mu-Shih ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 589-593
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    3D TCAD Analysis Enabling ESD Layout Design Optimization
    Pan, Zijin ; Li, Cheng ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 8 (2020), S. 1289-1296
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    Punch-Through Stop Doping Profile Control via Interstitial Trapping by Oxygen-Insertion Silicon Channel
    Burton, Richard ; Hytha, Marek ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 481-486
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Design of the RRAM-Based Polymorphic Look-Up Table Scheme
    Li, Xiang ; Zhang, Miaomiao ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 949-953
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    A New Dual-Direction SCR With High Holding Voltage and Low Dynamic Resistance for 5 V Application
    Do, Kyoung-Il ; Lee, Byung-Seok ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 7 (2019), S. 601-605
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    Performance and Power Consumption Trade-Off in UTBB FDSOI Inverters Operated at NTV for IoT Applications
    Martin-Martinez, Javier ; Nafria, Montserrat ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 55-62
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    A Perspective on SOI Symmetric Lateral Bipolar Transistors for Ultra-Low-Power Systems
    Ning, Tak H.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 4 (2016), Heft 5, S. 227-235
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    A New Electron Bridge Channel 1T-DRAM Employing Underlap Region Charge Storage
    Chen, Yun-Ru ; Kranti, Abhinav ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 5 (2017), Heft 1, S. 59-63
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    Consideration of UFET Architecture for the 5 nm Node and Beyond Logic Transistor
    Uttam Kumar Das ; Tarun Kanti Bhattacharyya ; et al.
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society, Jg. 6 (2018), S. 1129-1135
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    [Untitled]
    In: IEEE Journal of the Electron Devices Society
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