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    A 23.3 dBm CMOS power amplifier with third-order gm cancellation linearization technique achieving OIP3 of 34 dBm
    Kumar, Narendra ; Yusman Mohd. Yusof ; et al.
    In: Circuit World, Jg. 48 (2021-02-22), S. 215-222
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    A 30-to-41 GHz SiGe Power Amplifier With Optimized Cascode Transistors Achieving 22.8 dBm Output Power and 27% PAE
    Zhang, Hao ; Li, Ling ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-04-01), S. 1158-1162
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    A 130 GHz Fully-Integrated Fundamental-Frequency D-Band Transmitter Module With > 4 dBm Single-Ended Output Power
    Aguilar, Erick ; Weigel, Robert ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 67 (2020-05-01), S. 906-910
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    A High Efficiency Multi-Mode Outphasing RF Power Amplifier With 31.6 dBm Peak Output Power in 45nm CMOS
    Banerjee, Aritra ; Ding, Lei ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, Jg. 67 (2020-03-01), S. 815-828
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    Clusterix-Like BigData DBMS
    Raikhlin, Vadim A. ; Klassen, Roman K.
    In: Data Science and Engineering, Jg. 5 (2020-02-20), S. 80-93
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    Convergence of Array DBMS and Cellular Automata
    Ramon Antonio Rodriges Zalipynis
    In: Proceedings of the 2021 International Conference on Management of Data, 2021-06-09
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    A 314-344 GHz Frequency Doubler with Driving Stage and 1 dBm Psat in SiGe BiCMOS Technology
    Weigel, Robert ; Schrotz, Albert-Marcel ; et al.
    In: 2021 IEEE 20th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), 2021-01-17
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    A 28 GHz >30 dBm Output P1dB SPDT switch with integrated ESD protection in CMOS 65 nm
    Kim, Kwang-Seon ; Jang, Seunghyun ; et al.
    In: 2020 50th European Microwave Conference (EuMC), 2021-01-12
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    Studies on Surface Properties and Cell Adhesion Properties of BSA Modified DBM Scaffold
    Feng, Wei ; Yang, Chunying ; et al.
    In: Chemical Research in Chinese Universities, Jg. 35 (2019-06-19), S. 700-707
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    Uncertainty Evaluation on a 10.52 GHz (5 dBm) Optoelectronic Oscillator Phase Noise Performance
    Pavlyuchenko, Ekaterina ; Salzenstein, Patrice ; et al.
    2021
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    A 24–28 GHz high-stability CMOS power amplifier using common-gate-shorting (CGS) technique with 17.5 dBm $${\hbox {P}}_{sat}$$ P sat and 16.3% PAE for 5G millimeter-wave applications
    Shi, Chunqi ; Jiang, Chunshen ; et al.
    In: Analog Integrated Circuits and Signal Processing, Jg. 98 (2018-10-15), S. 193-200
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    A 35-39 GHz CMOS Linearized Receiver with 2 dBm IIP3 and 16.8 dBm OIP3 for the 5G Systems
    Chen, Chun-Nien ; Kuo, Tai-Yu ; et al.
    In: 2019 14th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), 2019-09-01
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Modelling and analysis of bubble entrapment by solidification shell in steel continuous casting considering bubble interaction with a coupled CFD-DBM approach
    Zou, Zongshu ; Zhao, Chenxi ; et al.
    In: Powder Technology, Jg. 390 (2021-09-01), S. 387-400
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    A Highly Linear and Efficient 28-GHz PA With a P sat of 23.2 dBm, P 1 dB of 22.7 dBm, and PAE of 35.5% in 65-nm Bulk CMOS
    Hossein Miri Lavasani ; Asoodeh, Alireza ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-03-01), S. 914-927
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    A +7.6 dBm IIP3 2.4-GHz Double-Balanced Mixer With 10.5 dB NF in 65-nm CMOS
    Yavari, Mohammad ; Milad Haghi Kashani ; et al.
    In: IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, Jg. 68 (2021-10-01), S. 3214-3218
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A 2-stage D-band Power Amplifier with 7 dBm Output Power at 0.14 THz in a 0.13μm SiGe Technology
    Gao, Hao ; Fan, Xiaohua ; et al.
    In: 2020 IEEE International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT), 2020-09-01
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    A 25-29 GHz 64-Element Dual-Polarized/Dual-Beam Small-Cell with 45 dBm 400 MHz 5GNR Operation and High Spectral Purity
    Rebeiz, Gabriel M. ; Yin, Yusheng ; et al.
    In: 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020-08-01
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 28 GHz front-end module with T/R switch achieving 17.2 dBm P-sat, 21.5% PAE(max) and 3.2 dB NF in 22 nm FD-SOI for 5G communication
    Khalaf, Khaled ; Zhang, Yang ; et al.
    2020
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    1.2–3.6 GHz 32.67 dBm 4096-QAM Digital PA Using Reconfigurable Power Combining Transformer for Wireless Communication
    Luo, Xun ; Huizhen Jenny Qian ; et al.
    In: 2020 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2020-08-01
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    A Fundamental-Frequency 122 GHz Radar Transceiver with 5.3 dBm Single-Ended Output Power in a 130 nm SiGe Technology
    Issakov, Vadim ; Aguilar, Erick ; et al.
    In: 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS), 2020-08-01
    Online unknown
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