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    Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy
    Miyake, Hideto ; Hiramatsu, Kazumasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-12-18), S. 01AD05
    Online unknown
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    Growth of low-threading-dislocation-density GaN on graphene by hydride vapor phase epitaxy
    Qi, Lin ; Wang, Chinhua ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-02-16), S. 030308-30308
    Online unknown
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    Improved crystalline quality of N-polar GaN epitaxial layers grown with reformed flow-rate-modulation technology
    Dai, Qian ; Wang, Shuchang ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2016-11-30), S. 015501-15501
    Online unknown
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    Improvement of crystallinity of GaN layers grown using Ga2O vapor synthesized from liquid Ga and H2O vapor
    Taniyama, Yuuki ; Yoshimura, Masashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-04-04), S. 05FB04
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -