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    AC signal characterization for optimization of a CMOS single-electron pump
    Murray, Roy ; Perron, Justin K. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-01-08), S. 065202-65202
    Online unknown
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    Proximity gettering of C3H5 carbon cluster ion-implanted silicon wafers for CMOS image sensors: Gettering effects of transition metal, oxygen, and hydrogen impurities
    Kadono, Takeshi ; Kurita, Kazunari ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-11-02), S. 121301-121301
    Online unknown
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    A CMOS Compatible MEMS Pirani Vacuum Gauge with Monocrystal Silicon Heaters and Heat Sinks
    Zhang, Le-Min ; Dapeng, Chen ; et al.
    In: Chinese Physics Letters, Jg. 34 (2017-02-01), S. 025101-25101
    Online unknown
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    Perspective: optically-pumped III–V quantum dot microcavity lasers via CMOS compatible patterned Si (001) substrates
    Zhang, Jian-Jun ; Wang, Ting ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 40 (2019-10-01), S. 101303-101303
    Online unknown
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    Tunable single hole regime of a silicon field effect transistor in standard CMOS technology
    Turchetti, Marco ; Prati, Enrico ; et al.
    In: Applied Physics Express, Jg. 9 (2015-12-11), S. 014001-14001
    Online unknown
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    CMOS-compatible Si metasurface at visible wavelengths prepared by low-temperature green laser annealing
    Yang, Kiyeon ; Kim, Yongsung ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2018-11-20), S. 045301-45301
    Online unknown
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    Room-temperature bonding of epitaxial layer to carbon-cluster ion-implanted silicon wafers for CMOS image sensors
    Hirose, Ryo ; Koga, Yoshihiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-05-29), S. 061302-61302
    Online unknown
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    Effect of low-oxygen-concentration layer on iron gettering capability of carbon-cluster ion-implanted Si wafer for CMOS image sensors
    Nakai, Toshiro ; Okuyama, Ryosuke ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-01-15), S. 021304-21304
    Online unknown
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    An experimental study of solid source diffusion by spin on dopants and its application for minimal silicon-on-insulator CMOS fabrication
    Matsukawa, Takashi ; Khumpuang, Sommawan ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-04-20), S. 06GG01
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Silicon and germanium nanowire electronics: physics of conventional and unconventional transistors
    Weber, Walter M. ; Mikolajick, Thomas
    In: Reports on Progress in Physics, Jg. 80 (2017-04-10), S. 066502-66502
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Silicon-graphene photonic devices
    Xu, Yang ; Dai, Daoxin ; et al.
    In: Journal of Semiconductors, Jg. 39 (2018-05-29), S. 061009-61009
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Simulation of planar single-gate Si tunnel FET with average subthreshold swing of less than 60 mV/decade for 0.3 V operation
    Tanimoto, Hiroyoshi ; Shimokawa, Junji ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2018-03-06), S. 04FD09
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Random dopant fluctuations and statistical variability in n-channel junctionless FETs
    Nima Dehdashti Akhavan ; Umana-Membreno, Gilberto A. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2017-12-12), S. 025203-25203
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fabrication of sub-10 nm metal nanowire arrays with sub-1 nm critical dimension control
    Lin, Peng ; Pi, Shuang ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-10-17), S. 464004-464004
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design and analysis of nanowire p-type MOSFET coaxially having silicon core and germanium peripheral channel
    Cho, Seongjae ; Yu, Eunseon
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 55 (2016-10-07), S. 114001-114001
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Heterogeneous 3D integration of hidden hinge micromirror arrays consisting of two layers of monocrystalline silicon
    Gehner, Andreas ; Niklaus, Frank ; et al.
    In: Journal of Micromechanics and Microengineering, Jg. 23 (2013-05-21), S. 075003-75003
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    In-plane nanoelectromechanical resonators based on silicon nanowire piezoresistive detection
    Hentz, Sebastien ; Marcoux, C. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 21 (2010-03-30), S. 165504-165504
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Nanoscale refractory doped titanium nitride field emitters
    Turchetti, Marco ; Yang, Yujia ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-05-14), S. 315208-315208
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effect of dose and size on defect engineering in carbon cluster implanted silicon wafers
    Hirose, Ryo ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-12-06), S. 011301-11301
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    High-conductivity silicon based spectrally selective plasmonic surfaces for sensing in the infrared region
    Topalli, Kagan ; Gok, Abdullah ; et al.
    In: Journal of Optics, Jg. 19 (2016-12-30), S. 025002-25002
    Online unknown
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