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    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
    Online unknown
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    Monolithic integration of GMR sensors for standard CMOS-IC current sensing
    A. De Marcellis ; Freitas, Paulo P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 135 (2017-09-01), S. 100-104
    Online unknown
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    Investigation of electrical characteristics of flexible CMOS devices fabricated with thickness-controlled spalling process
    Noh, Yeho ; Jung, Jaedong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 173 (2020-11-01), S. 107901-107901
    Online unknown
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    Novel logic device for CMOS standard I/O cell with tolerance to total ionizing dose effects
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Minwoong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 162 (2019-12-01), S. 107630-107630
    Online unknown
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    CMOS without doping: Multi-gate silicon-nanowire field-effect-transistors
    Krauss, Tillmann ; Wessely, Frank ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2012
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    High mobility CMOS: First demonstration of planar GeOI p-FETs with SOI n-FETs
    Y. Le Cunff ; Batude, Perrine ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2011
    Online unknown
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    Feasibility of plasmonic circuits for on-chip interconnects
    Inoue, T. ; Ota, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 156 (2019-06-01), S. 33-40
    Online unknown
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    GDNMOS and GDBIMOS devices for high voltage ESD protection in thin film advanced FD-SOI technology
    Vinet, Maud ; Galy, Philippe ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 159 (2019-09-01), S. 90-98
    Online unknown
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    III-V/Ge MOS device technologies for low power integrated systems
    Noguchi, M. ; Nishi, Koichi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 125 (2016-11-01), S. 82-102
    Online unknown
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    An innovative large scale integration of silicon nanowire-based field effect transistors
    Mouis, Mireille ; Chenevier, Pascale ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 97-102
    Online unknown
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    Compact heterodyne NEMS oscillator for sensing applications
    Gely, Marc ; Hentz, Sebastien ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 125 (2016-11-01), S. 214-219
    Online unknown
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    Ultra-thin body & buried oxide SOI substrate development and qualification for Fully Depleted SOI device with back bias capability
    Girard, Christophe ; Nguyen, Bich-Yen ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 117 (2016-03-01), S. 2-9
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    A sharp-switching device with free surface and buried gates based on band modulation and feedback mechanisms
    Cristoloveanu, Sorin ; Fenouillet-Beranger, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 116 (2016-02-01), S. 8-11
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Threshold voltage control in TmSiO/HfO2 high-k/metal gate MOSFETs
    Hellström, Per-Erik ; Östling, Mikael ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 108 (2015-06-01), S. 24-29
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Analysis and optimisation of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS transistor with an NBL layer in the drift region
    Toulon, Gaëtan ; Villard, Bruno ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 70 (2012-04-01), S. 8-13
    Online unknown
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    A new method for characterization of gate overlap capacitances and effective channel size in MOSFETs
    Malesinska, Jolanta ; Gluszko, Grzegorz ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 159 (2019-09-01), S. 184-190
    Online unknown
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