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    Impact of Geometrical and Electrical Parameters on Speed Performance Characteristics in Ultimate Double-Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors
    Loussier, X. ; Tintori, Olivier ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 47 (2008-05-16), S. 3390-3395
    Online unknown
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    High-efficiency MOSFET bridge rectifier for AlN MEMS cantilever vibration energy harvester
    Okada, Hironao ; Kobayashi, T. ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 56 (2017-03-06), S. 04CC03
    Online unknown
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    Impact of (Quasi-)Ballistic Transport on Operation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Inverters Based on Fully-Depleted Silicon-on-Insulator and Nanowire Devices
    Jaud, Marie-Anne ; Munteanu, Daniela ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 50 (2011), S. 014103-14103
    Online unknown
    Zugriff:
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    On gate stack scalability of double-gate negative-capacitance FET with ferroelectric HfO2 for energy efficient sub-0.2 V operation
    Jang, Kyungmin ; Hiramoto, Toshiro ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 57 (2017-12-22), S. 024201-24201
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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