Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
211 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Verlag

Publikation

Sprache

211 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Analysis of a Direct-Bandgap GeSn-Based MQW Transistor Laser for Mid-Infrared Applications
    Kaur, Jaspinder ; Basu, Rikmantra ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 48 (2019-07-16), S. 6335-6346
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    III/V-on-Si MQW lasers by using a novel photonic integration method of regrowth on a bonding template
    Kurczveil, Geza ; Liang, Di ; et al.
    In: Light: Science & Applications, Jg. 8 (2019-10-01), Heft 1, S. 1-9
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Structural, morphological, optical and electrical characterization of InGaN/GaN MQW structures for optoelectronic applications
    Surender, S. ; Ramesh, R. ; et al.
    In: APPLIED SURFACE SCIENCE, Jg. 476 (2019), S. 993-999
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Spatial Audio Acquisition Using a Dual-Functioning MQW-Diode With a Three-Stage Amplifier Circuit
    Wang, Yongjin ; Shi, Zheng ; et al.
    In: IEEE Access, Jg. 6 (2018), S. 8954-8958
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    An InGaN/GaN MQWs Solar Cell Improved By a Surficial GaN Nanostructure as Light Traps
    Zhang, Jincheng ; Zhan, Yiping ; et al.
    In: IEEE Photonics Technology Letters, Jg. 30 (2018), S. 83-86
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Improvement of slope efficiency of GaN-Based blue laser diodes by using asymmetric MQW and InxGa1-xN lower waveguide
    Chen, Ping ; Li, Mo ; et al.
    In: Journal of Alloys and Compounds, Jg. 731 (2018), S. 243-247
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Performance enhancement of InGaN/GaN MQWs grown on SiC substrate with sputtered AlN nucleation layer
    Zhang, Jincheng ; Zhang, Jinfeng ; et al.
    In: Materials Letters, Jg. 294 (2021-07-01), S. 129783-129783
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Comparison of growth interruption and temperature variation impact on emission efficiency in blue InGaN/GaN MQWs
    Kadys, A. ; Nargelas, Saulius ; et al.
    In: Vacuum, Jg. 183 (2021), S. 109871-109871
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    The effect of Multi Quantum Well growth regime transition on MQW/p-GaN structure and light emitting diode (LED) performance
    Mohd Raqif Mahat ; Poopalan, Prabakaran ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 121 (2021), S. 105431-105431
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Bismuth flux dependence of GaAsBi/GaAs MQWs grown by molecular beam epitaxy using two-substrate-temperature technique
    Ishikawa, Fumitaro ; Shimomura, Satoshi ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 106 (2017-06-01), S. 50-57
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    GaAsBi/GaAs MQWs MBE growth on (411) GaAs substrate
    Ishikawa, Fumitaro ; Shimomura, Satoshi ; et al.
    In: Superlattices and Microstructures, Jg. 100 (2016-12-01), S. 1205-1212
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Efficiency Enhancement of InGaN MQW LED Using Compositionally Step Graded InGaN Barrier on SiC Substrate
    Nirmal, D. ; M. Anuja Menokey ; et al.
    In: Journal of Display Technology, Jg. 12 (2016-10-01), S. 1117-1121
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electrical Properties of Dilute Nitride GaAsPN/GaPN MQW p–i–n Diode
    Özçelik, Süleyman ; Tataroğlu, Adem ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 46 (2017-03-27), S. 4590-4595
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Controlling the compositional inhomogeneities in AlxGa1−xN/AlyGa1−yN MQWs grown by PA-MBE: Effect on luminescence properties
    Kumar, Deepak ; Abhra Shankar Roy ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 439 (2016-04-01), S. 60-65
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of indium in Al0.65 Ga0.35 N/Al0.8 Ga0.2 N MQWs for the development of deep-UV laser structures in the form of graded-index separate confinement heterostructure (GRINSCH)
    Moustakas, Theodore D. ; Woodward, Jeff ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 213 (2015-12-17), S. 1165-1169
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Plasmonic enhanced emission from nanostructed embedded InGaN/GaN MQWs with silver nanoparticles
    C. M. Simon Yu ; Kwang, G. S. ; et al.
    In: 2018 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility and 2018 IEEE Asia-Pacific Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC/APEMC), 2018-05-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Correlation between growth interruption and indium segregation in InGaN MQWs
    Nargelas, Saulius ; Dmukauskas, M. ; et al.
    In: Journal of Luminescence, Jg. 221 (2020-05-01), S. 117103-117103
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Degradation of InGaN-based MQW solar cells under 405 nm laser excitation
    Zanoni, Enrico ; C. De Santi ; et al.
    2017
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Growth of InGaAsP-based MQW layer on InP template bonded to Si substrate for fabricating membrane lasers
    Nishi, Hidetaka ; Matsuo, Shinji ; et al.
    In: 2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), 2016-06-01
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Enhancement of indium incorporation to InGaN MQWs on AlN/GaN periodic multilayers
    Izyumskaya, Natalia ; Hafiz, Shopan ; et al.
    In: SPIE Proceedings, 2016-02-26
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -