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    Effects of Growth Conditions on the Low Temperature Photoluminescence Spectra of (111) 3C-SiC Layers Grown by Chemical Vapor Deposition on 3C-SiC Seeds grown by the Vapor-Liquid-Solid Technique
    Zoulis, Georgios ; Sun, J. W. ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.science/hal-00653311 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.119-122, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Growth Conditions on the Low Temperature Photoluminescence Spectra of (111) 3C-SiC Layers Grown by Chemical Vapor Deposition on 3C-SiC Seeds grown by the Vapor-Liquid-Solid Technique
    Zoulis, Georgios ; Sun, J. W. ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.science/hal-00653311 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.119-122, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Growth Conditions on the Low Temperature Photoluminescence Spectra of (111) 3C-SiC Layers Grown by Chemical Vapor Deposition on 3C-SiC Seeds grown by the Vapor-Liquid-Solid Technique
    Zoulis, Georgios ; Sun, J. W. ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.science/hal-00653311 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.119-122, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Growth Conditions on the Low Temperature Photoluminescence Spectra of (111) 3C-SiC Layers Grown by Chemical Vapor Deposition on 3C-SiC Seeds grown by the Vapor-Liquid-Solid Technique
    ZOULIS, Georgios ; Sun, J. W. ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00653311 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.119-122, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Splitting of close N-Al donor-acceptor-pair spectra in 3C-SiC
    Sun, J. W. ; Zoulis, Georgios ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.science/hal-00653310 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.111-114, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Splitting of close N-Al donor-acceptor-pair spectra in 3C-SiC
    Sun, J. W. ; Zoulis, Georgios ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.science/hal-00653310 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.111-114, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Splitting of close N-Al donor-acceptor-pair spectra in 3C-SiC
    Sun, J. W. ; Zoulis, Georgios ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.science/hal-00653310 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.111-114, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Splitting of close N-Al donor-acceptor-pair spectra in 3C-SiC
    Sun, J. W. ; ZOULIS, Georgios ; et al.
    In: 2010 WIDE BANDGAP CUBIC SEMICONDUCTORS: FROM GROWTH TO DEVICES ; Conference of the E-MRS Symposium F ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00653310 ; Conference of the E-MRS Symposium F, Jun 2010, Strasbourg (FRANCE), France. pp.111-114, 2010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Potential of HMDS/C3H8 precursor system for the growth of state of the art heteroepitaxial 3C-SiC layers on Si(100)
    Ferro, G. ; Camassel, Jean ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 ; 10th International Conferece on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM 2003) ; https://hal.science/hal-00543751 ; 10th International Conferece on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM 2003), Oct 2003, Lyon (FRANCE), France. pp.281-284, 2003
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Potential of HMDS/C3H8 precursor system for the growth of state of the art heteroepitaxial 3C-SiC layers on Si(100)
    Ferro, G. ; Camassel, Jean ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 ; 10th International Conferece on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM 2003) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00543751 ; 10th International Conferece on Silicon Carbide and Related Materials 2003 (ICSCRM 2003), Oct 2003, Lyon (FRANCE), France. pp.281-284, 2003
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth at high rates and characterization of bulk 3C-SiC material
    Ferro, G. ; Balloud, C. ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002 ; 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002) ; https://hal.science/hal-00543767 ; 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002), Sep 2002, LINKOPING (SWEDEN), France. pp.115-118, 2002
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Growth at high rates and characterization of bulk 3C-SiC material
    Ferro, G. ; Balloud, C. ; et al.
    In: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002 ; 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002) ; https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00543767 ; 4th Euopean Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2002), Sep 2002, LINKOPING (SWEDEN), France. pp.115-118, 2002
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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xxl 1366 -