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    Turn-around effects during dynamic operation in 0.25μm CMOS technology from low to high temperature
    Bravaix, A. ; Goguenheim, D. ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Turn-around effects during dynamic operation in 0.25μm CMOS technology from low to high temperature
    Bravaix, A. ; Goguenheim, D. ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Turn-around effects during dynamic operation in 0.25μm CMOS technology from low to high temperature
    Bravaix, A. ; Goguenheim, D. ; et al.
    In: ISSN: 0167-9317, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
    Goguenheim, D ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
    Goguenheim, D ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
    Goguenheim, D ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
    Goguenheim, D ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    HOT-CARRIER RELIABILITY IN n-MOSFETs USED AS PASS-TRANSISTORS
    Goguenheim, D ; Bravaix, Alain ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1998
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Analysis of high temperature effects on performances and hot-carrier degradation in DC/AC stressed 0.35 μm n-MOSFETs
    Bravaix, Alain ; Goguenheim, D. ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Analysis of high temperature effects on performances and hot-carrier degradation in DC/AC stressed 0.35 μm n-MOSFETs
    Bravaix, Alain ; Goguenheim, D. ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of high temperature effects on performances and hot-carrier degradation in DC/AC stressed 0.35 μm n-MOSFETs
    Bravaix, Alain ; Goguenheim, D. ; et al.
    In: ISSN: 0026-2714, 1999
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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lg 992 - 1200
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