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    A Ka-Band SATCOM Transceiver in 65-nm CMOS With High-Linearity TX and Dual-Channel Wide-Dynamic-Range RX for Terrestrial Terminal
    Wang, Yun ; YOU, Dongwon ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 57 (2022-02-01), S. 356-370
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    Energy-Efficient CMOS Humidity Sensors Using Adaptive Range-Shift Zoom CDC and Power-Aware Floating Inverter Amplifier Array
    Zhang, Hao ; Tan, Zhichao ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-12-01), S. 3560-3572
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    A 22.9–38.2-GHz Dual-Path Noise-Canceling LNA With 2.65–4.62-dB NF in 28-nm CMOS
    Zhou, Jie ; Huizhen Jenny Qian ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-11-01), S. 3348-3359
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    A 24-GHz Fully Integrated CMOS Transceiver for FMCW Radar Applications
    Chen, Sao-Jie ; Yi-Pei, Su ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-11-01), S. 3307-3317
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    A 200-GHz Power Amplifier With a Wideband Balanced Slot Power Combiner and 9.4-dBm P sat in 65-nm CMOS: Embedded Power Amplification
    Momeni, Omeed ; Bameri, Hadi
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-11-01), S. 3318-3330
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    A Low-Power Reflection-Coefficient Sensor for 28-GHz Beamforming Transmitters in 22-nm FD-SOI CMOS
    Lemey, Sam ; Mangraviti, Giovanni ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-12-01), S. 3704-3714
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    A Reconfigurable Non-Uniform Power-Combining V-Band PA With +17.9 dBm Psat and 26.5% PAE in 16-nm FinFET CMOS
    Wang, Yanjie ; Chu, Kun-Da ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-05-01), S. 1502-1513
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    A Highly Linear and Efficient 28-GHz PA With a P sat of 23.2 dBm, P 1 dB of 22.7 dBm, and PAE of 35.5% in 65-nm Bulk CMOS
    Hossein Miri Lavasani ; Asoodeh, Alireza ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-03-01), S. 914-927
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    A 24.8-μW Biopotential Amplifier Tolerant to 15-VPP Common-Mode Interference for Two-Electrode ECG Recording in 180-nm CMOS
    Koo, Nahmil ; Cho, SeongHwan
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021-02-01), S. 591-600
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    A 1.16-V 5.8-to-13.5-ppm/°C Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference Circuit With a Shared Offset-Cancellation Method for Internal Amplifiers
    Onabajo, Marvin ; Petruzzi, Luca ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 56 (2021), S. 267-276
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    A 20-GHz 1.9-mW LNA Using g m-Boost and Current-Reuse Techniques in 65-nm CMOS for Satellite Communications
    Zhao, Dixian ; You, Xiaohu ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-10-01), S. 2714-2723
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    1310/1550 nm Optical Receivers With Schottky Photodiode in Bulk CMOS
    Diels, Wouter ; Tavernier, Filip ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-07-01), S. 1776-1784
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    A CMOS 1.2-V Hybrid Current- and Voltage-Mode Three-Way Digital Doherty PA With Built-In Phase Nonlinearity Compensation
    Wang, Hua ; Li, Sensen ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-03-01), S. 525-535
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    A CMOS Two-Element 170-GHz Fundamental-Frequency Transmitter With Direct RF-8PSK Modulation
    Nazari, Peyman ; Heydari, Payam ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 55 (2020-02-01), S. 282-297
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    A DC-to-108-GHz CMOS SOI Distributed Power Amplifier and Modulator Driver Leveraging Multi-Drive Complementary Stacked Cells
    Rebeiz, Gabriel M. ; El-Aassar, Omar
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-12-01), S. 3437-3451
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    A Broadband CMOS RF Front End for Direct Sampling Satellite Receivers
    Abraham, Jacob A. ; Singor, Frank ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-08-01), S. 2140-2148
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    A CMOS Polar Class-G Switched-Capacitor PA With a Single High-Current Supply, for LTE NB-IoT and eMTC
    Mateman, Paul ; Breeschoten, Arjan ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-07-01), S. 1941-1951
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    A Millimeter-Wave CMOS Transceiver With Digitally Pre-Distorted PAM-4 Modulation for Contactless Communications
    Huang, Rulin ; Hu, Boyu ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-06-01), S. 1600-1612
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    A 230–260-GHz Wideband and High-Gain Amplifier in 65-nm CMOS Based on Dual-Peak $G_{{\mathrm{max}}}$ -Core
    Lee, Sang-Gug ; Bao Huu Lam ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-06-01), S. 1613-1623
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    Secure Satellite Communication Digital IF CMOS $Q$ -Band Transmitter and $K$ -Band Receiver
    Yang, Yeat ; Kultran, Daniel ; et al.
    In: IEEE Journal of Solid-State Circuits, Jg. 54 (2019-05-01), S. 1329-1338
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