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    III-V MOSFETs for future CMOS transistor applications
    Passlack, Matthias ; Droopad, Ravi ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-12-01), Heft 12, S. 26-29
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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    Fully gate-all-around silicon nanowire: CMOS devices
    Singh, N. ; Buddharaju, Kavitha D. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-05-01), Heft 5, S. 34-37
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Technique images picosecond switching in CMOS circuits
    In: Solid State Technology, Jg. 40 (1997-08-01), Heft 8, S. 36-37
    Online serialPeriodical
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Precursors for group IV epitaxy for micro/opto-electronic applications
    Thomas, Shawn G. ; Bauer, Matthias ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 52 (2009-04-01), Heft 4, S. 12-15
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Isolation's path to SOI technology
    Kamgar, Avid ; Clemens, James T.
    In: Solid State Technology, Jg. 42 (1999-10-01), Heft 10, S. 109-114
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Siehe Detailanzeige für Volltext
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Improving yield through parametric variability characterization and modeling
    Bordelon, Jim ; Maniar, Prashant
    In: Solid State Technology, Jg. 50 (2007-11-01), Heft 11, S. 38-40
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Planar fully depleted SOI: the technological solution against variability
    Andrieu, F. ; Weber, O. ; et al.
    In: Solid State Technology, Jg. 53 (2010-11-01), Heft 10, S. 26-27
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Steady progress reported on HK+MG for 32nm and beyond
    In: Solid State Technology, Jg. 52 (2009-02-01), Heft 2, S. 10-11
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    On-the-fly threshold voltage measurement for BTI characterization
    Meyer, Paul
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-04-01), Heft 4, S. 44-45
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    IC technologies for mixed-signal and RF SiP
    Cheskis, David
    In: Solid State Technology, Jg. 50 (2007-04-01), Heft 4, S. 46-47
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    IEDM: when do TSV stresses affect device operation?
    Peters, Laura
    In: Solid State Technology, Jg. 54 (2011), Heft 1, S. 8-8
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Key building blocks for a 22nm transistor
    Biesemans, Serge
    In: Solid State Technology, Jg. 51 (2008-06-01), Heft 6, S. 52-52
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    Wie komme ich dran?
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