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    In situ Raman scattering studies of pressure-temperature phase diagrams in antiferroelectric xCaSnO3-modified NaNbO3 ceramics
    Gao, Lichen ; Hu, Zhigao ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 119 (2021-09-27), S. 132905-132905
    Online unknown
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    Study of interface trap density of AlOxNy/GaN MOS structures
    Chu, Rongming ; Leach, Jacob H. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 119 (2021-09-20), S. 122105-122105
    Online unknown
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    Phase transition of Bi5Ti3FeO15 ceramics discovered by Raman spectroscopy and in situ synchrotron XRD under stress field
    Jiang, Kai ; Bian, Mengyun ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 117 (2020-07-13), S. 022901-22901
    Online unknown
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    Modulation of the electrical properties in amorphous indium-gallium zinc-oxide semiconductor films using hydrogen incorporation
    Kyoung Seok Son ; Jun Hyung Lim ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-12-11), S. 243507-243507
    Online unknown
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    Direct detection of fibrinogen in human plasma using electric-double-layer gated AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    Chyi, Jen-Inn ; Chen, Yen-Wen ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-08-21), S. 082106-82106
    Online unknown
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    Effects of deposition methods and processing techniques on band gap, interband electronic transitions, and optical absorption in perovskite CH3NH3PbI3 films
    Hu, Zhigao ; Li, Wenwu ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 111 (2017-07-03), S. 011906-11906
    Online unknown
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    Epitaxial ferroelectric Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films for room-temperature tunable element applications
    Huang, Z. J. ; Chu, Wei-Kan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 75 (1999-07-19), S. 412-414
    Online unknown
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    Pressure and temperature-dependent Raman spectra of MoS2 film
    Li, Xue ; Fang, Xuan ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-12-12), S. 242101-242101
    Online unknown
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    Performance of a large-scale barrier discharge plume improved by an upstream auxiliary barrier discharge
    Chu, Jingdi ; Geng, Jinling ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 109 (2016-11-14), S. 204102-204102
    Online unknown
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    Epitaxial SrRuO3 thin films on (001) SrTiO3
    Chu, Wei-Kan ; Dezaneti, L. M. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 71 (1997-08-25), S. 1047-1049
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low resistance ohmic contacts on nitrogen ion bombarded InP
    Pearton, Stephen J. ; James Robert Lothian ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 65 (1994-10-24), S. 2165-2167
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Pressure-induced changes in the conductivity of AlGaN∕GaN high-electron mobility-transistor membranes
    Kwang Hyeon Baik ; Linthicum, Kevin J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-10-04), S. 2962-2964
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Structural and optical properties of Ba(Cox,Ti1−x)O3 thin films fabricatedby sol-gel process
    Zhang, Wei ; Li, Yawei ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-09-13), S. 1964-1966
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Electrical and optical properties of Bi2Ti2O7 thin films prepared by metalorganic decomposition method
    Hou, Yun ; Lin, Tie ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 85 (2004-08-16), S. 1214-1216
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Preparation and optical waveguide property of metal alkoxide solution-derived Pb(Zr0.5Ti0.5)O3 thick films
    Xu, L. ; Hu, G. J. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-05-03), S. 3609-3611
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Enhancement of boron solid solubility in Si by point-defect engineering
    Liu, Jiarui ; Chen, John ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 84 (2004-04-26), S. 3325-3327
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Using point-defect engineering to increase stability of highly doped ultrashallow junctions formed by molecular-beam-epitaxy growth
    Dharmaiahgari, Bhanu P. ; Trombetta, L. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-10-06), S. 2823-2825
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    Electrical properties of p–n junctions based on superlattices of AlN/AlGa(In)N
    Nikishin, Sergey A. ; Borisov, B. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-08-18), S. 1319-1321
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Electric-field-pulse-assisted covalent immobilization of DNA in the nanosecond time scale
    Cabeça, R. ; Prazeres, D.M.F. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 83 (2003-08-18), S. 1465-1467
    Online unknown
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    High efficiency organic light-emitting devices with Al/NaF cathode
    Lee, Hyoyoung ; Do, Lee-Mi ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 82 (2003-01-13), S. 173-175
    Online unknown
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