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    Optical Property of GaN Single Crystals Grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE)
    Omae, Kunimichi ; Yoshimura, Masashi ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 43 (2004-01-09), S. L173- (3S.)
    Online unknown
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    Growth of a Large GaN Single Crystal Using the Liquid Phase Epitaxy (LPE) Technique
    Yoshimura, Masashi ; Mori, Yusuke ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 42 (2003-02-15), S. L208
    Online unknown
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    Synthesis of AlN Grains and Liquid-Phase-Epitaxy (LPE) Growth of AlN Films Using Sn-Ca Mixed Flux
    Yoshimura, Masashi ; Sasaki, Takatomo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 44 (2005-04-01), S. L488
    Online unknown
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    LPE Ga1-xInxSb Multigrading Layers with Cut-off Wavelength up to 4.71 µm (x=0.75)
    Hayakawa, Yasuhiro ; Xiuying, Gong ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 31 (1992-04-01), S. 1016-1016
    Online unknown
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    Donor Gettering of LPE (Liquid-Phase-Epitaxy) InGaAsP Layers in the Presence of Er
    Chen, En-Hsing ; Chin, Tsung-Shune ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 30 (1991-11-01), S. 2679-2679
    Online unknown
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    Continuous Growth of LPE Double Layers for GaAs FET
    Nanishi, Yasushi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 17 (1978-06-01), S. 1023-1029
    Online unknown
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    Lattice-Matched LPE Growth of In1-xGaxP1-yAsyLayers on (100) GaAs Substrates
    Matsunami, Hiroyuki ; Matsumura, Shigeo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 19 (1980-04-01), S. L207- (4S.)
    Online unknown
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    Variation of Liquid and Solid Compositions during LPE Growth from a Ternary Component Solution
    Teramoto, Iwao ; Kazumura, Masaru ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 18 (1979-08-01), S. 1509-1516
    Online unknown
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    Improvement of Crystal Composition in Ga1-xAlxAs LPE Layers Grown under Conditions of Constant Cooling Rate
    Ito, Ryoichi ; Hirao, Motohisa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 17 (1978-03-01), S. 503-507
    Online unknown
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    Electrical Properties of GaAs-Films Grown by LPE on Oxygen-Implanted GaAs Substrates
    Itoh, Tadatsugu ; Takeuchi, Masami
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 16 (1977-10-01), S. 1809-1815
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Melt Reheating Effects on Reproducibility of Growth Rate and Magnetic Properties of LPE Garnet Films
    Imamura, Yoshihiro
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 14 (1975-09-01), S. 1393-1394
    Online unknown
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    LPE Growth of In1-xGaxP0.96As0.04 on GaAs Substrate by Two-Phase Melt Method
    Kondo, Masahiko ; Tsushi, Akihito ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 24 (1985-05-01), S. 524-524
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    Heteroepitaxy of CuInS2 on ZnSe by LPE Method from In Solution
    Nakau, Tanehiro ; Takenoshita, Hiroshi
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 21 (1982-02-01), S. 412C
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    LPE Growth of In1-xGaxAs1-yPy on GaAs0.7P0.3
    Sakai, Shiro ; Fujii, Sadao ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 25 (1986), S. 75-75
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    High-Purity LPE Growth of InP by Co Addition to an In–P Melt
    Nagai, Haruo ; Amano, Toshimasa ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 26 (1987-12-01), S. 1997-1997
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    Direct LPE Growth of InP on (111)A Oriented In0.53Ga0.47As without Dissolution
    Nakajima, Kazuo ; Yamazaki, Susumu ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 21 (1982-04-01), S. L237
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    LPE Growth and Photoluminescence of In1-xGaxP1-yASy, on GaAs
    Suzuki, Akira ; Matsunami, Hiroyuki ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 20 (1981), S. 211-211
    Online unknown
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    LPE Growth of ZnSnAs2 on a ZnSe Substrate from a Sn Solution
    Takenoshita, Hiroshi ; Nakau, Tanehiro
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 21 (1982-04-01), S. L212
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    Calculation of Impurity Concentrations in LPE InP Layers
    Yamazaki, Susumu ; Akita, Kenzo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 22 (1983-11-01), S. 1705-1705
    Online unknown
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    Analysis of Contamination Layer of InP During LPE Process by Synchrotron Radiation-Excited X-Ray Fluorescence
    Komiya, Satoshi ; Iida, Atsuo ; et al.
    In: Japanese Journal of Applied Physics, Jg. 27 (1988-10-01), S. L1825
    Online unknown
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