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    MeV proton elastic backscattering analysis of silicon nitride and oxide layers on silicon
    WEILIN, J ; PEIRAN, Z ; et al.
    In: Journal of applied physics, Jg. 70 (1991), Heft 5, S. 2610-2613
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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    20 meV-deep donor level in InN film of 0.76 eV band gap grown by plasma-assisted nitrogen source
    Xie, S. W. ; Soon Fatt Yoon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-06-15), S. 7998-8001
    Online unknown
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    Influence of 20 MeV electron irradiation on the optical properties and phase composition of SiOx thin films
    Nesheva, Diana ; Hristova-Vasileva, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 123 (2018-05-21), S. 195303-195303
    Online unknown
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    Reduction of boride enhanced diffusion in MeV-implanted silicon
    Bleiler, Roger J. ; Chen, Hui ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-11-15), S. 5793-5797
    Online unknown
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    High-energy (MeV) Al and B ion implantations into 4H-SiC and fabrication of pin diodes
    Asano, Katsunori ; Saitoh, Akira ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-04-01), S. 4242-4248
    Online unknown
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    High energy (MeV) ion-irradiated π-conjugated polyaniline: Transition from insulating state to carbonized conducting state
    Beag, Y. W. ; Kim, Howon ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-08-15), S. 1914-1918
    Online unknown
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    Structural evolution of Co/Cu nanostructures under 1 MeV ion-beam irradiation
    Cai, M. ; Schiettekatte, François ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-02-15), S. 1996-2005
    Online unknown
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    Photoluminescence, deep level transient spectroscopy and transmission electron microscopy measurements on MeV self-ion implanted and annealed n-type silicon
    Davies, G ; Jagadish, Chennupati ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-09-01), S. 2309-2317
    Online unknown
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    Radiation-induced junction formation behavior of boron-doped Czochralski and float zone silicon crystals under 3 MeV proton irradiation
    Huh, J. Y. ; Kim, Donghwan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 94 (2003-11-01), S. 5617-5622
    Online unknown
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    Thermal annealing study of 1 MeV electron-irradiation-induced defects in n+p InGaP diodes and solar cells
    Yamaguchi, Masafumi ; Takamoto, Tatsuya ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 91 (2002-02-15), S. 2391-2397
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Mechanism of iron gettering in MeV Si ion implanted epitaxial silicon
    Koveshnikov, Sergei V. ; Rozgonyi, George A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-09-15), S. 3078-3084
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of MeV ion irradiation of thin cubic boron nitride films
    John E.E. Baglin ; Kellock, Andrew J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998-03-15), S. 2980-2987
    Online unknown
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    Raman spectroscopy of porous and bulk GaP subjected to MeV-ion implantation and annealing
    Sarua, A. ; Irmer, Gert ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 88 (2000-12-15), S. 7006-7012
    Online unknown
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    Electronic excitation induced mass transport on 200 MeV 107Ag+14 ion irradiated Si surface
    Mishra, N. C. ; Singh, R. K. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 87 (2000-03-15), S. 2742-2746
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    2 MeV electron irradiation of silicon at elevated temperatures: Influence on platinum diffusion and creation of electrically active defects
    Svensson, Birte ; Godey, Sylvie ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-04-01), S. 3556-3560
    Online unknown
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    Cross-sectional transmission electron microscopy study of 1.5 MeV Kr+ irradiation-induced amorphization in α-quartz
    Wang, L. M. ; Ewing, Rodney C. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-10-15), S. 4204-4208
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    In situ laser reflectometry study of the amorphization of silicon carbide by MeV ion implantation
    Skorupa, Wolfgang ; Henkel, T. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-09-15), S. 3090-3097
    Online unknown
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    Electrical characterization of MeV heavy-ion-induced damage in silicon: Evidence for defect migration and clustering
    Mohapatra, Y. N. ; Giri, P. K.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 84 (1998-08-15), S. 1901-1912
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Damage induced by 90 MeV silicon ions in crystalline silicon
    Bhoraskar, Vasant N. ; Bhave, P.S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-08-15), S. 2328-2332
    Online unknown
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    Oxide growth, refractive index, and composition depth profiles of structures formed by 2 MeV oxygen implantation into silicon
    Hatzopoulos, N. ; Hemment, P.L.F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 77 (1995-01-15), S. 577-586
    Online unknown
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