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    Characteristics of Au Migration and Concentration Distributions in Au-Doped HgCdTe LPE Materials
    Wei, Yanfeng ; Sun, Quanzhi ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 44 (2015-03-21), S. 2773-2778
    Online unknown
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    Substrate quality impact on the carrier concentration of undoped annealed HgCdTe LPE layers
    Juravel, Yehuda ; Benory, Eyal ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 30 (2001-06-01), S. 756-761
    Online unknown
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    Composition and thickness control of thin LPE HgCdTe layers using x-ray diffraction
    Tobin, S. P. ; Norton, Peter W. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 29 (2000-06-01), S. 781-791
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Trace copper measurements and electrical effects in LPE HgCdTe
    Tobin, S. P. ; Tower, J. P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), S. 1183-1187
    Online unknown
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    N-Type Hg1−xCdxTe: Undoped x = 0.3 LPE material for sprite IR detectors
    Capocci, F. A. ; Capper, P. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-06-01), S. 1014-1018
    Online unknown
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    Hall effect characterization of LPE HgCdTe P/n heterojunctions
    Norton, P. W. ; Krueger, E. E. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-08-01), S. 907-914
    Online unknown
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    Advanced magneto-transport characterization of LPE-grown Hg1-xCdx Te by quantitative mobility spectrum analysis
    Tobin, S. P. ; Liao, P. K. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-08-01), S. 1157-1164
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Raman scattering study of the immiscible region in InGaAsP grown by LPE on (100) and (111) GaAs
    Sawaki, Nobuhiko ; Hase, Nobuyasu ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 25 (1996-05-01), S. 695-699
    Online unknown
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Controlled p-type Sb doping in LPE-grown Hg1−x Cdx Te epilayers
    Harman, T. C.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 22 (1993-09-01), S. 1165-1172
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Supercooling studies and LPE growth of Hg1−xCdxTe from Te-Rich solutions
    E G Bylander ; Korenstein, R ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 15 (1986-05-01), S. 151-157
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Slider LPE of Hg1-xCdxTe using mercury pressure controlled growth solutions
    Harman, T. C.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981-11-01), S. 1069-1084
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of In and Sb doping in LPE growth thermodynamics and in GaAs layer qualities
    Chen, J. F. ; Wie, C. R.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 18 (1989-05-01), S. 399-406
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Selective area LPE growth and open tube diffusion in InGaAs/InP
    Houston, Peter A. ; Chand, N.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 14 (1985), S. 9-24
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High purity LPE InP
    Eastman, L.F. ; Wrick, V. L. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978-03-01), S. 253-261
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Electrical properties of indium-doped LPE layers of Pb1−xSnx Te
    Shtrikman, H. ; Tamari, N. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 10 (1981-03-01), S. 301-312
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Temperature-gradient lpe growth of Pbl-x Snx Te
    Groves, S. H.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 6 (1977-03-01), S. 195-206
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Doping of LPE layers of CdTe grown from te solutions
    Gordon, Neil ; Astles, M. ; et al.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 13 (1984), S. 167-189
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Lpe growth of high purity InP and N- and P-In0.53Ga0.47As
    Fritzsche, D. ; Kuphal, E.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 12 (1983-07-01), S. 743-763
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Measured compositions and laser emission wavelengths of GaXIn1−XAsyP1−y lpe layers lattice-matched TO InP Substrates
    Hsieh, J. J.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 7 (1978), S. 31-37
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Growth characteristics of LPE InSb and InGaSb
    Kamath, G. S. ; Holmes, D. E.
    In: Journal of Electronic Materials, Jg. 9 (1980), S. 95-110
    Online unknown
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