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    Garnet-Type Li7La3Zr2O12Solid Electrolyte Thin Films Grown by CO2-Laser Assisted CVD for All-Solid-State Batteries
    Bruns, Michael ; Loho, Christoph ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 164 (2016-11-22), S. A6131- (9S.)
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    Copper Barrier Properties of Low Dielectric Constant SiOCNH Film Deposited by Plasma-Enhanced CVD
    Ishimaru, Tomomi ; Ohdaira, Toshiyuki ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2003-12-09), S. C56- (6S.)
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    Analysis and Modeling of Low Pressure CVD of Silicon Nitride from a Silane‐Ammonia Mixture: II. Deposition Modeling
    Yacoubi, Khalid ; Couderc, Jean‐Pierre ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-08-01), S. 3018-3027
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    Effect of Oxygen Post Plasma Treatment on Characteristics of Electron Cyclotron Resonance CVD Fluorine‐Doped Silicon Dioxide Films Using SiF4 and O 2 Gas Sources
    Lee, Seoghyeong ; Park, Jong-Wan
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 146 (1999-02-01), S. 697-701
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    The Effect of CH 4 on CVD β ‐ SiC Growth
    Hon, M. H. ; Kuo, D. H. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-11-01), S. 3688-3692
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    Cu CVD from Copper(II) Hexafluoroacetylacetonate: II . Laser‐Assisted Selective Area Deposition
    Temple, D. ; Reisman, Arnold ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-11-01), S. 3911-3918
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    Influence of H 2 Addition and Growth Temperature on CVD of SiC Using Hexamethyldisilane and Ar
    Nordell, Nils ; Pirouz, Pirouz ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-02-01), S. 565-571
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    Investigation of Thermal Removal of Native Oxide from Si (100) Surfaces in Hydrogen for Low-Temperature Si CVD Epitaxy
    Yamazaki, Tatsuya ; Ito, Takashi ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1990-04-01), Heft No. 4, S. 1175-1180
    Online unknown
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    Use of Selective CVD‐W with a Polyimide Mask for Local Interconnects
    Colgan, E. G.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 140 (1993-02-01), S. 485-490
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    Low Temperature CVD of SiO2 Films Using Novel Precursors
    Agaskar, Pradyot A. ; Peng, Chien H. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1992-09-01), S. 2682-2685
    Online unknown
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    Low Temperature, Atmospheric Pressure CVD Using Hexamethyldisiloxane and Ozone
    Tokumasu, N. ; Fujino, K. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 139 (1992-08-01), S. 2282-2287
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Thermally Stimulated Current Properties of Alkaline Ions in CVD Si3 N 4
    Lemiti, Mustapha ; Audisio, S. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-09-01), S. 2845-2849
    Online unknown
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    Analysis of Interface States between Plasma‐CVD Silicon Nitride and Silicon‐Substrate Using Deep‐Level Transient Spectroscopy
    Ikeda, Naoki ; Shintani, Akira ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-09-01), S. 2974-2979
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    Comparison of Tantalum and Rhenium Filaments in Diamond CVD Using Selective Carbon‐13 Labeling
    McNamara, K. M. ; Gleason, Karen K.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 140 (1993-02-01), S. L22- (3S.)
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    Growth Kinetics of CVD TiO2: Influence of Carrier Gas
    Siefering, K. L. ; Griffin, G. L.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 137 (1990-04-01), S. 1206-1208
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    Pulsed CVD-W Nucleation Layer Using WF[sub 6] and B[sub 2]H[sub 6] for Low Resistivity W
    Kang, Hyosang ; Seung Wook Ryu ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 156 (2009), S. H685
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Phase and Microstructure of ALD-W Films Deposited Using B[sub 2]H[sub 6] and WF[sub 6] and Their Effects on CVD-W Growth
    Seung Jin Yeom ; Kim, Soo-Hyun ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 155 (2008), S. D148
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Consecutive CVD of Al∕Co Bilayers on SiO[sub 2] or Alq[sub 3] Surfaces at Low Temperature of 70°C
    Kwon, G. C. ; Chang Jung Kim ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), S. H833
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    GaN MIS Capacitors with Photo-CVD SiN[sub x]O[sub y] Insulating Layers
    Liu, H. L. ; Chang, C.S. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. G423
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    Gas-Phase Kinetic Modeling of the AlCl[sub 3] Decomposition in the AlCl[sub 3]-CO[sub 2]-H[sub 2]-HCl System for a Hot-Wall CVD Reactor
    Tan, Pengfu ; Neuschütz, Dieter ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. C288
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