Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
13 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Schlagwort

Sprache

13 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Hydrogen diffusion behavior in CH2P-molecular-ion-implanted silicon wafers for CMOS image sensors
    Kobayashi, Koji ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 137 (2022), S. 106211-106211
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration
    Liu, Bo ; Song, Sannian ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-01), S. 326-331
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Preparation of SrRuO3 films for advanced CMOS metal gates
    Ferrari, S. ; Machajdík, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 265-269
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Jet vapor deposition nitride processing and application to advanced CMOS devices for reduction of gate leakage current and boron penetration
    Khare, M. ; Hartig, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 3 (2000-06-01), S. 173-178
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Growth of lanthanum oxide films for application as a gate dielectric in CMOS technology
    Soltys, J. ; Pisecny, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 231-236
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Spectroscopic techniques for characterization of high-mobility strained-Si CMOS
    Vogg, Günther ; Bensch, Frank ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 267-271
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    High-performance (110)-surface strained-SOI MOSFETs
    Moriyama, Yoshihiko ; Nakaharai, Shu ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 327-336
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Oxidation enhanced diffusion during the growth of ultrathin oxides
    Stolk, P.A. ; Montree, Andreas H. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 2 (1999-04-01), S. 29-33
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Accurate carrier profiling of n-type GaAs junctions
    Vandervorst, Wilfried ; Clemente, Francesca ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 11 (2008-10-01), S. 259-266
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Low-temperature formation of self-assembled Ge quantum dots on Si(100) under high carbon mediation via solid-phase epitaxy
    Washio, Katsuyoshi ; Kawashima, Tomoyuki ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 167-172
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Impact of Yb, In, Ag and Au thin film substrates on the crystalline nature, Schottky barrier formation and microwave trapping properties of Bi 2 O 3 films
    Khanfar, Hazem K. ; Khusayfan, Najla M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 64 (2017-06-01), S. 63-70
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Nanostructured V2O5 thin films deposited at low sputtering power
    Sridharan, M. ; Gupta, Sudha ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 39 (2015-11-01), S. 426-432
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A deep-level transient spectroscopy study of Co- and Ni-germanided n-type germanium
    Forment, S. ; R. L. Van Meirhaeghe ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-08-01), S. 554-558
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -