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    Ultrathin plasma nitrided oxide gate dielectrics for sub-100 nm generation CMOS technology
    JEON, Joong ; YEH, Ping ; et al.
    In: Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices (Paris, 27 April - 2 May 2003), 2003, S. 287-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced gate stacks with fully silicided (FUSI) gates and high-k dielectrics for low power CMOS
    OGURA, T ; SAITOH, M ; et al.
    In: Dielectrics for nanosystems II (materials science, processing, reliability, and manufacturing), 2006, S. 301-309
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-k gate stack engineering and low frequency noise performance
    CLAEYS, C ; SIMOEN, E ; et al.
    In: Dielectrics for nanosystems II (materials science, processing, reliability, and manufacturing), 2006, S. 287-300
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of nitrided hafnium silicates for high-k dielectrics using photoelectron spectroscopy
    MATHEW, Anoop ; DEMIRKAN, Korhan ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 360-365
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Electron mobility dependence of W/HFO2 gate stacks on interfacial layer preparation
    CALLEGARI, A ; JAMISON, P ; et al.
    In: Advanced gate stack, source/drain and channel engineering for Si-based CMOS : naw materials, processes, 2005, S. 319-323
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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