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    Preparation of SrRuO3 films for advanced CMOS metal gates
    Ferrari, S. ; Machajdík, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 265-269
    Online unknown
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    Temperature scaling for 35nm gate length high-performance CMOS
    Horstmann, Manfred ; Greenlaw, D. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 369-374
    Online unknown
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    Metallic Schottky barrier source/drain nanowire transistors using low-temperature microwave annealed nickel, ytterbium, and titanium silicidation
    Chen, Yu-Hsuan ; Huang, Ming-Kun ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 272-278
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Structural and electrical studies on Ti/Al-based Au-free ohmic contact metallization for AlGaN/GaN HEMTs
    Taube, Andrzej ; Bazarnik, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 96 (2019-06-01), S. 153-160
    Online unknown
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    Impact of thermal annealing on Ge-on-Insulator substrate fabricated by wafer bonding
    Kang, J. ; Takagi, Shinichi ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 42 (2016-02-01), S. 259-263
    Online unknown
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    Effect of rapid thermal annealing on bulk micro-defects and plastic deformation in silicon during high temperature processing
    Lee, Ki-Sang ; Ho Seong Lee ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 85 (2018-10-01), S. 83-89
    Online unknown
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    Effect of stress on silicide formation kinetics in thin film titanium–selicon system
    Nagabushnam, R. V. ; Sharan, Sujit ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 1 (1998-12-01), S. 249-255
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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