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    Effects of annealing, using a plasma-excited chemical vapor deposition SiN film as a cap, on the carrier density of AlGaAs/GaAs heterostructures and Si-doped GaAs.
    Nakata, S. ; Yamamoto, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 78 (1995-10-01), S. 4401-4406
    Online academicJournal
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    Stress development kinetics in plasma-enhanced chemical-vapor-deposited silicon nitride films.
    Hughey, Michael P. ; Cook, Rober F.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 97 (2005-06-01), Heft 11, S. 114914-114914
    Online academicJournal
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    Study on SiNx passivated Cu/Ta/SiO2/Si multilayer structure.
    Latt, K. M. ; Park, H. S. ; et al.
    In: Journal of Materials Science, Jg. 37 (2002-10-01), Heft 19, S. 4181-4188
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Effects of ion implantation and thermal annealing on the photoluminescence in amorphous silicon nitride.
    Seol, Kwang Soo ; Futami, Tsuyoshi ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 85 (1999-05-01), Heft 9, S. 6746-6750
    Online academicJournal
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    Electrically neutral nitrogen dangling-bond defects in amorphous hydrogenated silicon nitride thin films.
    Warren, W. L. ; Lenahan, P. M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 70 (1991-08-15), S. 2220-2225
    Online academicJournal
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    Annealing of plasma silicon oxynitride films.
    Denisse, C. M. M. ; Troost, K. Z. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 60 (1986-10-01), S. 2543-2547
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    Thermal annealing study on GaAs encapsulated by plasma-enhanced chemical-vapor-deposited SiOxNy.
    Chan, Y. J. ; Lin, M. S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 58 (1985-07-01), S. 545-549
    Online academicJournal
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    Thermally annealed silicon nitride films: electrical characteristics and radiation effects.
    Stein, Herman J.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 57 (1985-03-15), S. 2040-2047
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Photoluminescence of Tb3+ doped SiNx films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition.
    Yuan, Zhizhong ; Li, Dongsheng ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 100 (2006-10-15), Heft 8, S. 083106-83106
    Online academicJournal
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