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    The high temperature DC characteristics of a high voltage lateral insulated-gate bipolar transistors with NPN anode in junction isolation technology.
    Tsai, Ying-Chieh ; Gong, Jeng ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 132 (2017-06-01), S. 80-85
    academicJournal
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    A Fast Switching Segmented Anode NPN Controlled LIGBT.
    Hardikar, Shyam ; Tadikonda, R. ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 24 (2003-11-01), Heft 11, S. 701-703
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Analysis of the Novel Snapback-Free LIGBT With Fast-Switching and Improved Latch-Up Immunity by TCAD Simulation.
    Duan, Baoxing ; Licheng, Sun ; et al.
    In: IEEE Electron Device Letters, Jg. 40 (2019), Heft 1, S. 63-66
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    Investigation on Self-Adjust Conductivity Modulation SOI-LIGBT Structure (SCM-LIGBT) for Monolithic High-Voltage IC.
    Sun, Weifeng ; Yang, Zhuo ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 64 (2017-09-01), Heft 9, S. 3762-3767
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance.
    Luo, Xiaorong ; Yang, Yang ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 66 (2019-03-01), Heft 3, S. 1390-1395
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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    A silicon controlled rectifier with an anode Schottky contact.
    Raizman, A. ; Kesar, A.S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 204 (2023-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Switching effects in shorted emitter diodes.
    Bar-Lev, A. ; Flat, A. ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 37 (1974-08-01), Heft 2, S. 227-239
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Method of sacrificial anode dual transistor-driving in stray current field.
    Narozny, M. ; Zakowski, K. ; et al.
    In: Corrosion Science, Jg. 98 (2015-09-01), S. 605-609
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Automatic system for the measurement of current gain of the transistor components of power thyristors.
    Un, W. ; Fulop, W.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 43 (1977-08-01), Heft 2, S. 161-167
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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