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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: Microelectronic Engineering ; volume 255, page 111706 ; ISSN 0167-9317, 2022
    academicJournal
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    Impact of single-defects on the variability of CMOS inverter circuits
    Waltl, Michael ; Waldhoer, Dominic ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 126, page 114275 ; ISSN 0026-2714, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot-carrier evaluation of a zero-cost transistor developed via process optimization in an embedded non-volatile memory CMOS technology
    Devoge, P. ; Aziza, H. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 126, page 114265 ; ISSN 0026-2714, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Sub-20 nm multilayer nanopillar patterning for hybrid SET/CMOS integration
    Pourteau, M. L. ; Gharbi, A. ; et al.
    In: Micro and Nano Engineering ; volume 9, page 100074 ; ISSN 2590-0072, 2020
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reliability challenges in CMOS technology: A manufacturing process perspective
    Teng, Qiao ; Hu, Yongkang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering ; volume 281, page 112086 ; ISSN 0167-9317, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TLP/VFTLP investigation on eNVM 1T1R PCM in FD-SOI UTBB CMOS technology at room temperature
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 148, page 115168 ; ISSN 0026-2714, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A high-speed quadruple-node-upset-tolerant latch in 22 nm CMOS technology
    Huang, Zhengfeng ; Zhang, Yan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 147, page 115032 ; ISSN 0026-2714, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance comparison of vertically stacked nanosheet CFET and standard CMOS without and with parasitic channels
    Li, Jiawei ; Zhao, Mengqing ; et al.
    In: Microelectronic Engineering ; volume 279, page 112053 ; ISSN 0167-9317, 2023
    academicJournal
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    Finite element simulation-based prediction of CMOS-compatible pyroelectric material in MEMS IR detectors
    Ranu ; Agarwal, Pankaj B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 147, page 115076 ; ISSN 0026-2714, 2023
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SEE and TID characterization of an 8 Gbps SST transmitter in a 28 nm bulk CMOS technology
    Liang, Bin ; Chen, Jianjun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 142, page 114909 ; ISSN 0026-2714, 2023
    academicJournal
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    Investigation of CMOS reliability in 28 nm through BTI and HCI extraction
    Coutet, Julien ; Marc, François ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 146, page 115007 ; ISSN 0026-2714, 2023
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Design of radio frequency power amplifier for 2.45 GHz IoT application using 0.18 µm CMOS technology
    Rhaffor, Nuha ; Ang, Wei Keat ; et al.
    In: Microelectronics International ; volume 40, issue 4, page 246-254 ; ISSN 1356-5362, 2022
    academicJournal
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    Characterization of thin Al2O3/SiO2 dielectric stack for CMOS transistors
    Yan, Yiyi ; Kilchytska, Valeriya ; et al.
    In: Microelectronic Engineering ; volume 254, page 111708 ; ISSN 0167-9317, 2022
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Corrigendum to “A soft-error-tolerant, 1.25 GHz to 3.125 GHz, 3.18 ps RMS-jitter CPPLL in 40 nm CMOS process” [Microelectron. Reliab. volume 124 (2021) 114337]
    Guo, Qiancheng ; Guo, Yang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 135, page 114591 ; ISSN 0026-2714, 2022
    academicJournal
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    Cryo-CMOS design-technology co-optimization of low noise amplifier for silicon qubit readout
    Kang, Dongsuk ; Yu, Shimeng
    In: Microelectronic Engineering ; volume 262, page 111837 ; ISSN 0167-9317, 2022
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Simulation of transient radiation upset in a 0.18-μm CMOS SRAM by accurately modeling a 6T memory cell
    Zhao, Zhenguo ; Li, Guangrong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 139, page 114787 ; ISSN 0026-2714, 2022
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    CMOS-compatible GaN-based high electron mobility transistors with gate-first technology
    Gao, Sheng ; Xie, Zijing ; et al.
    In: Microelectronic Engineering ; volume 264, page 111860 ; ISSN 0167-9317, 2022
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A fully matched dual stage CMOS power amplifier with integrated passive linearizer attaining 23 db gain, 40% PAE and 28 DBM OIP3
    Gunasegaran, Premmilaah ; Rajendran, Jagadheswaran ; et al.
    In: Microelectronics International ; volume 38, issue 2, page 66-77 ; ISSN 1356-5362, 2021
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Two-photon laser-assisted device alteration in CMOS integrated circuits using linearly, circularly and radially polarized light
    Rutkauskas, M. ; Farrell, C. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 60, page 62-66 ; ISSN 0026-2714, 2016
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ionizing radiation damage in 65 nm CMOS technology: Influence of geometry, bias and temperature at ultra-high doses
    Borghello, G. ; Lerario, E. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability ; volume 116, page 114016 ; ISSN 0026-2714, 2021
    academicJournal
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xs 0 - 576
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