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    A Fully-Differential CMOS Instrumentation Amplifier for Bioimpedance-Based IoT Medical Devices.
    Corbacho, Israel ; Carrillo, Juan M. ; et al.
    In: Journal of Low Power Electronics & Applications, Jg. 13 (2023-03-01), Heft 1, S. 3-20
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    A 2.71‐pA/√Hz ultra‐low noise, 70‐dB dynamic range CMOS transimpedance amplifier with incorporated microstrip line techniques over extended bandwidth.
    Gorre, Pradeep ; Vignesh, R. ; et al.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 51 (2023-02-01), Heft 2, S. 912-931
    Online academicJournal
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    A High Efficiency 14–28 Gb/s Tunable Receiver Analog Front-End in 65 nm CMOS Technology.
    Li, Shunyu ; Chu, Guang Yong ; et al.
    In: Journal of Circuits, Systems & Computers, Jg. 33 (2024-05-15), Heft 7, S. 1-16
    academicJournal
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    Compact CMOS Wideband Instrumentation Amplifiers for Multi-Frequency Bioimpedance Measurement: A Design Procedure.
    Corbacho, Israel ; Carrillo, Juan M. ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 11 (2022-06-01), Heft 11, S. 1668-1685
    Online academicJournal
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    A Full Ka-Band CMOS Amplifier Using Inductive Neutralization with a Flat Gain of 13 ± 0.2 dB.
    Kim, Byungwook ; Jeon, Sanggeun
    In: Applied Sciences (2076-3417), Jg. 12 (2022-05-01), Heft 9, S. N.PAG- (12S.)
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    CMOS X‐band pole‐converging triple‐cascode LNA with low‐noise and wideband performance.
    Cao, Cheng ; Li, Yubing ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 16 (2022), Heft 1, S. 26-39
    academicJournal
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    A new design strategy for bandwidth and efficiency enhancement in KA band CMOS power amplifier.
    Mirzajani Darestani, Mohammad Sadegh ; Tavakoli, Mohammad Bagher ; et al.
    In: Circuit World, Jg. 48 (2022), Heft 1, S. 14-27
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The Merged Voltage Follower: A Class-AB CMOS Follower With Enhanced Bandwidth to Drive Loads With Low Resistance and Large Capacitance Le suiveur de tension fusionné: un suiveur CMOS de classe AB avec une bande passante améliorée pour piloter des charges avec une faible résistance et une grande capacité
    Ocampo-Hidalgo, Juan Jesus ; Molinar-Solis, Jesus Ezequiel ; et al.
    In: IEEE Canadian Journal of Electrical & Computer Engineering, Jg. 44 (2021), Heft 1, S. 30-40
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext
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  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Ultra-Wide Bandwidth Fully Differential CMOS Opamp with a Novel Bandwidth Extension Technique for SoC Active Filter Applications.
    Kayanselçuk, Toprak ; Zencir, Ertan
    In: Journal of Circuits, Systems & Computers, Jg. 30 (2021-09-01), Heft 12, S. 1-19
    academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Three-Stage CMOS LDO with Optimized Power and Dynamic Performance for Portable Devices.
    Serrano-Reyes, Andrés ; Sanz-Pascual, María Teresa ; et al.
    In: Electronics (2079-9292), Jg. 12 (2023-11-15), Heft 22, S. 4638-4650
    Online academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Analysis and Design of High Gain-Bandwidth CMOS Distributed Amplifier Utilizing a Cascaded Pseudo Differential Distributed Amplifier.
    Babaeinik, Majid ; Dousti, Massoud ; et al.
    In: Journal of Circuits, Systems & Computers, Jg. 30 (2021), Heft 1, S. N.PAG- (15S.)
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 12-Bit 2 GS/s Single-Channel High Linearity Pipelined ADC in 40 nm CMOS.
    Wu, Feitong ; Guo, Xuan ; et al.
    In: Micromachines, Jg. 14 (2023-07-01), Heft 7, S. 1291-1303
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Wafer‐Scale Integration of Single Layer Graphene Electro‐Absorption Modulators in a 300 mm CMOS Pilot Line.
    Wu, Chenghan ; Brems, Steven ; et al.
    In: Laser & Photonics Reviews, Jg. 17 (2023-06-01), Heft 6, S. 1-9
    Online academicJournal
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    28-nm CMOS 공정을 이용한 고속첩신호합성기설계. (Korean)
    전영수 ; 문준호 ; et al.
    In: Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering & Science / Han-Guk Jeonjapa Hakoe Nonmunji, Jg. 34 (2023-04-01), Heft 4, S. 303-309
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    40 nm CMOS 공정을 이용한 130 GHz 저면적전력증폭기. (Korean)
    김 재 관 ; 이 창 중 ; et al.
    In: Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering & Science / Han-Guk Jeonjapa Hakoe Nonmunji, Jg. 34 (2023-04-01), Heft 4, S. 310-316
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    17.1: SRAM‐based LED CMOS driver circuit for a 512x512 GaN microdisplay.
    Moro, Victor ; Canals, Joan ; et al.
    In: SID Symposium Digest of Technical Papers, Jg. 54 (2023-04-02), S. 135-139
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A RGC-based, low-power, CMOS transimpedance amplifier for 10Gb/s optical receivers.
    Soltanisarvestani, Razieh ; Zohoori, Soorena ; et al.
    In: International Journal of Electronics, Jg. 107 (2020-03-01), Heft 3, S. 444-460
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 5.8‐17.6 GHz cascaded bi‐directional distributed gain amplifier utilizing asymmetric stages in 65 nm CMOS.
    Nguyen, Van‐Viet ; Nam, Hyohyun ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 61 (2019-07-01), Heft 7, S. 1683-1687
    Online academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Design of the CMOS inverter‐based amplifier: A quantitative approach.
    Sharroush, Sherif M.
    In: International Journal of Circuit Theory & Applications, Jg. 47 (2019-07-01), Heft 7, S. 1006-1036
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    W‐band ×8 frequency multiplier in 65 nm CMOS with 25% bandwidth and 4.63 dBm output power.
    Song, Zelin ; Yu, Yiming ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023-12-01), Heft 12, S. 3147-3152
    Online academicJournal
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