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    W‐band ×8 frequency multiplier in 65 nm CMOS with 25% bandwidth and 4.63 dBm output power.
    Song, Zelin ; Yu, Yiming ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023-12-01), Heft 12, S. 3147-3152
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    A compact, 36 to 72 GHz 15.8 dBm power amplifier with 66.7% fractional bandwidth in 45 nm SOI CMOS.
    Tai, Wei ; Ricketts, David S.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 56 (2014), Heft 1, S. 166-169
    Online academicJournal
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    Highly efficient W-band 2.5 GHz bandwidth pulse generator with -1 dBm output power in 65 nm CMOS.
    Oh, Juntaek ; Jang, Jingyu ; et al.
    In: Electronics Letters (Wiley-Blackwell), Jg. 52 (2016-02-04), Heft 3, S. 223-224
    Online academicJournal
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    Dual‐band filtering power amplifier with extended passband bandwidths and wide stopband rejection.
    Dong, Gaoya ; Yang, Xiaolong ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell), Jg. 17 (2023-07-15), Heft 9, S. 749-757
    Online academicJournal
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    Design of a dual‐band power amplifier over an octave bandwidth employing dual‐band resonators.
    Liu, Jinting ; Liu, Chong ; et al.
    In: International Journal of Numerical Modelling, Jg. 37 (2024-03-01), Heft 2, S. 1-9
    Online academicJournal
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    An improved impedance space for extended hybrid continuous mode power amplifiers.
    Hao, Peng ; Shen, Ce ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 66 (2024), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
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    Wideband high‐efficiency extended continuous Class F power amplifier using a new wideband bandstop network.
    Jia, Minshi ; Cheng, Zhiqun ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 64 (2022-11-01), Heft 11, S. 1965-1971
    Online academicJournal
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    A millimeter‐wave broadband power amplifier with a tree‐like transistor structure using 0.15‐μm GaAs technology.
    Guo, Letian ; Huang, Wenhua ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023-11-01), Heft 11, S. 2863-2868
    Online academicJournal
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    An efficient wide flatness gain bandwidth with parallel hybrid fiber amplifier.
    Gurkaynak, Irfan Alp ; Al‐Mashhadani, Thamer Fahad ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 64 (2022-02-01), Heft 2, S. 251-258
    Online academicJournal
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    A 27‐33 GHz compact medium power amplifier with pole‐tuning technique in 130 nm CMOS technology.
    Quan, Xing ; Luo, Jiang
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 63 (2021), Heft 1, S. 139-145
    Online academicJournal
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    Wideband Class‐F power amplifier design based on harmonic control analysis and bandwidth expansion structure.
    Zhao, Hongyi ; Zhang, Dan
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 65 (2023), Heft 1, S. 109-114
    Online academicJournal
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    500 GHz CMOS heterodyne imager adopting fourth subharmonic passive mixer.
    Choi, Kyung‐Sik ; Park, Dae‐Woong ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 62 (2020-02-01), Heft 2, S. 683-687
    Online academicJournal
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    A 5.8‐17.6 GHz cascaded bi‐directional distributed gain amplifier utilizing asymmetric stages in 65 nm CMOS.
    Nguyen, Van‐Viet ; Nam, Hyohyun ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 61 (2019-07-01), Heft 7, S. 1683-1687
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    High‐power broadband graphene non‐Foster circuit enabled class‐J GaN HEMT power amplifier.
    Akwuruoha, Charles Nwakanma ; Hu, Zhirun
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 60 (2018-12-01), Heft 12, S. 3088-3094
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    Design of a wideband 0.18‐μm SiGe BiCMOS power amplifier in Ku and K bands.
    Hsiao, Meng‐Jie ; Kim, Kyoungwoon ; et al.
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 60 (2018-10-01), Heft 10, S. 2392-2397
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    Fully integrated CMOS power amplifier using resistive current combining technique.
    Roy, Palash ; Dawn, Debasis
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell), Jg. 12 (2018-04-01), Heft 5, S. 826-832
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    A Systematic Approach for the Design of Broadband, High Efficiency, High Power RF Amplifiers.
    Mohadeskasaei, Seyed Alireza ; An, Jianwei ; et al.
    In: ETRI Journal, Jg. 38 (2016-12-01), Heft 6, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Wideband dual‐bandpass 0.18‐µm CMOS SPDT switch utilizing dual‐band resonator concept.
    Um, Youngman ; Nguyen, Cam
    In: Microwave & Optical Technology Letters, Jg. 60 (2018-05-01), Heft 5, S. 1215-1219
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Bandwidth‐extended single‐input switchable Doherty power amplifier based on dual compensating reactance with adjusted drain voltage.
    Liu, Rui‐Jia ; Zhu, Xiao‐Wei ; et al.
    In: IET Microwaves, Antennas & Propagation (Wiley-Blackwell), Jg. 15 (2021-10-07), Heft 12, S. 1577-1593
    Online academicJournal
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    Comparison of active dual‐gate and passive mixers for terahertz applications.
    Grötsch, Christopher M. ; Dan, Iulia ; et al.
    In: IET Circuits, Devices & Systems (Wiley-Blackwell), Jg. 15 (2021-07-01), Heft 4, S. 353-365
    academicJournal
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