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    n/sup +/-poly-to-n/sup +/-silicon capacitor structures for single-poly analog CMOS and BiCMOS processes
    Teng, C.-S. ; Liou, T.-I.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-09-01), S. 1620-1628
    Online unknown
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    A New Paradigm in High-Speed and High-Efficiency Silicon Photodiodes for Communication—Part II: Device and VLSI Integration Challenges for Low-Dimensional Structures
    Bartolo-Perez, Cesar ; Yamada, Toshishige ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 65 (2018-02-01), S. 382-391
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    Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) Process Variations for Future RF BiCMOS Applications
    Suligoj, T. ; Sin, J.K.O. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 52 (2005-07-01), S. 1392-1398
    Online unknown
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    An Analytical Broadband Model for Millimeter-Wave Transformers in Silicon Technologies
    Leite, Bernardo ; Belot, Didier ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 59 (2012-03-01), S. 582-589
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    A high performance super self-aligned 3 V/5 V BiCMOS technology with extremely low parasitics for low-power mixed-signal applications
    Chiu, T.-Y. ; Kenneth Gordon Moerschel ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 42 (1995-03-01), S. 513-522
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    Temperature-dependent characteristics of BiCMOS digital circuits
    Elmasry, Mohamed I. ; Rofail, S.S.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993), S. 169-178
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    A low-capacitance bipolar/BiCMOS isolation technology. I. Concept, fabrication process, and characterization
    Burghartz, Joachim N. ; McIntosh, R.C. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 41 (1994), S. 1379-1387
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    Integration of a double-polysilicon emitter-base self-aligned bipolar transistor into a 0.5- mu m BiCMOS technology for fast 4-Mb SRAM's
    Mele, T.C. ; Burnett, J.D. ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 40 (1993-06-01), S. 1121-1128
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    Process integration and device performance of a submicrometer BiCMOS with 16-GHz f/sub t/ double poly-bipolar devices
    Yamaguchi, T. ; Yuzuriha, T.H.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 36 (1989-05-01), S. 890-896
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    High-speed BiCMOS technology with a buried twin well structure
    Tamba, Nobuo ; Masuda, Ikuro ; et al.
    In: IEEE Transactions on Electron Devices, Jg. 34 (1987-06-01), S. 1304-1310
    Online unknown
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